[實(shí)用新型]一種基于Si襯底的四結(jié)太陽電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820149421.4
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN207765468U
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李俊承;姜偉;何勝;吳真龍;王亞麗;涂潔磊;王向武
• 申請（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種基于Si襯底的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述四結(jié)太陽電池包括：

硅電池；

在所述硅電池沿著第一方向依次設(shè)置的P型接觸層、底電池、第一隧穿結(jié)、中電池、第二隧穿結(jié)、頂電池以及粗化層，其中，所述第一方向?yàn)榇怪庇谒龉桦姵兀矣伤龉桦姵刂赶蛩鯬型接觸層；

設(shè)置在所述粗化層背離所述頂電池一側(cè)的N電極；

設(shè)置在所述N電極與所述粗化層之間的N型接觸層；

設(shè)置在所述硅電池背離所述P型接觸層一側(cè)的P電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述四結(jié)太陽電池還包括：

設(shè)置在所述硅電池和所述P型接觸層之間的氧化銦錫透明薄膜，其中，所述氧化銦錫透明薄膜的厚度范圍為0.8um-1.2um，包括端點(diǎn)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述四結(jié)太陽電池還包括：

設(shè)置在所述N電極背離所述N型接觸層一側(cè)的減反射膜，其中，位于所述N電極上的所述減反射膜上設(shè)置有電極引線凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述減反射膜包括：TiO₂膜層和Al₂O₃膜層；

其中，所述TiO₂膜層設(shè)置在所述N電極背離所述N型接觸層的一側(cè)，所述Al₂O₃膜層設(shè)置在所述TiO₂膜層背離所述N電極的一側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述TiO₂膜層的厚度范圍為包括端點(diǎn)值，所述Al₂O₃膜層的厚度范圍為包括端點(diǎn)值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述P電極包括TiAl金屬電極；

其中，Ti的厚度范圍為90nm-110nm，包括端點(diǎn)值，Al的厚度范圍為2400nm-2600nm，包括端點(diǎn)值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述N電極包括Au、AuGeNi合金以及Ag金屬電極，所述N電極的厚度范圍為4.8um-5.2um，包括端點(diǎn)值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述硅電池的襯底為P型單晶硅襯底。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的四結(jié)太陽電池，其特征在于，所述P型單晶硅襯底的的晶向?yàn)?00，所述P型單晶硅襯底的厚度范圍為170um-180um，包括端點(diǎn)值。