[實用新型]遮擋壓盤組件和半導體加工裝置

有效

• 申請號: 201820148449.6
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN208266260U
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 李冬冬;郭浩;趙夢欣;趙晉榮
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/35
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒;王小會

本實用新型提供一種遮擋壓盤組件和半導體加工裝置。該遮擋壓盤組件包括：遮擋壓盤以及移動部件，遮擋壓盤面向基座的一側包括邊緣部；移動部件用于使遮擋壓盤在第一位置和第二位置之間移動；其中，在第一位置時，邊緣部與基座承載的待加工件的邊緣區域接觸，且遮擋壓盤在基座的支撐面上的投影完全覆蓋待加工件在基座的支撐面上的投影；在第二位置時，在垂直于基座的支撐面的方向上，遮擋壓盤與基座的支撐面不重疊。從而可以使晶片表面全部沉積上薄膜，又可以通入背吹氣體對晶片進行有效冷卻，提高產能。

技術領域

本實用新型的實施例涉及一種遮擋壓盤組件和半導體加工裝置。

背景技術

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術是在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在襯底表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。物理氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜及分子束外延等。目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜，還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。

物理氣相沉積裝置本身的性能直接影響所沉積的膜層的質量和產率等。隨著對于各種器件膜層精度、質量以及產率的要求不斷提高，對于物理氣相沉積裝置本身性能的改進有著持續的推動力。

實用新型內容

根據本實用新型的一個實施例提供一種遮擋壓盤組件，包括：

遮擋壓盤，所述遮擋壓盤面向基座的一側包括邊緣部；以及

移動部件，用于使所述遮擋壓盤在第一位置和第二位置之間移動；

其中，在所述第一位置時，所述邊緣部可與所述基座承載的待加工件的邊緣區域接觸，且所述遮擋壓盤在所述基座的支撐面上的投影完全覆蓋所述待加工件在所述基座的支撐面上的投影；在所述第二位置時，在垂直于所述基座的支撐面的方向上，所述遮擋壓盤與所述基座的支撐面不重疊。

在一些示例中，所述遮擋壓盤與所述移動部件活動連接，使得所述遮擋壓盤能沿垂直于所述基座的支撐面的方向相對所述移動部件移動。

在一些示例中，所述移動部件包括：

旋轉軸；

旋轉臂，與所述旋轉軸相連，被配置為在所述旋轉軸的驅動下圍繞所述旋轉軸旋轉，所述遮擋壓盤連接到所述旋轉臂面向所述基座的一側。

在一些示例中，所述旋轉臂上設有豎直貫通的定位孔，所述遮擋盤背離所述基座的一側依次設置有連接部和定位部，所述定位部與所述定位孔配合，使所述遮擋壓盤可吊掛在所述旋轉臂上。

在一些示例中，所述定位孔被配置為其內徑從上到下逐漸減小，所述定位部的形狀與所述定位孔的形狀相配合，所述連接部的外徑不大于所述定位孔的最小內徑。

在一些示例中，所述定位孔為圓臺形孔，所述定位部為與所述定位孔配合的圓臺形，所述連接部為圓柱形。

在一些示例中，所述邊緣部被配置為沿所述遮擋壓盤的邊緣周向分布的突出部，所述突出部朝向所述基座突出。

在一些示例中，所述突出部被配置為沿所述遮擋壓盤的周向連續設置。

在一些示例中，所述突出部被配置為沿所述遮擋壓盤的周向間斷設置。

本實用新型的另一個實施例提供一種半導體加工裝置，包括腔室，所述腔室包括所述基座和如上任一遮擋壓盤組件；

所述基座內設有背吹管路，所述背吹管路被配置為通入背吹氣體；

所述基座具有所述支撐面，所述支撐面被配置為支撐所述待加工件，所述基座被配置為可沿垂直于所述支撐面的方向移動。