[實用新型]一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置

有效

• 申請號: 201820145550.6
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN208008947U
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 王立;王震東;王劍宇;張思鴻
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B25/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 趙艾亮

1.一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，包含反應腔體，其特征在于所述反應腔體分為左右兩部分，左邊為低溫區，右邊為高溫區，所述反應腔體低溫區固定有格子支架，所述格子支架將反應腔體分成若干獨立空間，所述格子支架上放置有內管，所述內管中承載有反應前驅體，所述內管左端通過推動桿固定連接有磁性移動器，所述內管可在格子支架上左右移動。

2.根據權利要求1所述的一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，其特征在于所述磁性移動器為永久磁鐵。

3.根據權利要求2所述的一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，其特征在于所述磁性移動器靠近所述反應腔體內壁，所述反應腔體外壁通過外置磁鐵與所述磁性移動器吸引。

4.根據權利要求1所述的一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，其特征在于所述反應腔體中由左往右持續通入載氣。

5.根據權利要求4所述的一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，其特征在于所述載氣為氬氣或者氦氣等惰性氣體。

6.根據權利要求1所述的一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，其特征在于所述反應腔體高溫區內設有基片，所述反應腔體高溫區外圍連接有加熱裝置。

7.根據權利要求1所述的一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，其特征在于所述反應腔體和所述格子支架為石英或者陶瓷材質。

8.根據權利要求1所述的一種可連續進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置，其特征在于所述內管由剛性且耐高溫材料石英、剛玉或氧化鋯加工而成。