[實用新型]半導體引線鍵合工裝夾具及其加熱塊結構有效
| 申請號: | 201820142282.2 | 申請日: | 2018-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN207765419U | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發明(設計)人: | 盧紅平;劉肖松;秦超奎;朱莉莉 | 申請(專利權)人: | 上海泰睿思微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/603 |
| 代理公司: | 上海唯源專利代理有限公司 31229 | 代理人: | 汪家瀚 |
| 地址: | 201306 上海市浦東新區南*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱塊 真空孔 頂面 支撐肋 鍵合 半導體引線 工裝夾具 芯片引線 焊接區 成形 本實用新型 超聲能量 頂端成形 頂面齊平 鍵合引線 一體成形 真空吸附 底面 焊線 良率 芯片 貫穿 支撐 | ||
本實用新型提供一種半導體引線鍵合工裝夾具及其加熱塊結構,所述加熱塊具有相對的頂面及底面,所述加熱塊設有貫穿所述頂面及所述底面的真空孔;其中,所述加熱塊的頂面成形為平面;所述真空孔內部成形有支撐肋,所述支撐肋的頂端成形為縷空平面,所述縷空平面與加熱塊的頂面齊平連接;令所述加熱塊用于鍵合引線框架及芯片時,真空孔對應位于芯片引線焊接區下方;從而通過在真空孔內部一體成形有端面與加熱塊頂面連接的支撐肋,能夠在真空吸附的同時提供芯片引線焊接區支撐,以降低加熱塊真空孔對鍵合超聲能量的損失,同時提升焊線質量與良率。
技術領域
本實用新型涉及半導體引線鍵合技術領域,具體來說涉及用于引線鍵合的工裝夾具及其加熱塊結構。
背景技術
DFN(雙邊扁平無鉛封裝)是一種小型電子元器件的封裝形式的名稱。其中,如圖1所示,型號Tiny(Q)DFN的引線框架以高密度設計為主,其包括了引線框架20以及呈矩陣排列布置于所述引線框架20上的多列芯片引線焊接區21,各所述芯片引線焊接區21上設有芯片30。所述Tiny(Q)DFN引線框架的引線鍵合制程主要通過如圖1所示的工裝夾具10進行壓合步驟,所述工裝夾具10包括壓板11及加熱塊12,所述壓板11設置能夠概括多列芯片引線焊接區21的大面積開窗13,所述加熱塊12頂部成形為平面14,借此,通過將引線框架20及芯片30夾置于壓板11及加熱塊12之中,實現一次壓合多列半導體產品完成引線鍵合,且所述引線框架20通過預埋在加熱塊12中的真空孔15吸引固定在加熱塊12的平面14上,避免在引線鍵合過程中發生晃動,有利于提升引線鍵合制程的鍵合質量與良率。
值得注意的是,如圖2所示,現有加熱塊12的真空孔15對應位于引線框架20的芯片引線焊接區21下方,不僅使得芯片引線焊接區21部分區域懸空無支撐,同時也對鍵合設備22焊針的超聲能量造成損耗作用,導致了焊點球脫的問題,有待進一步改善。
實用新型內容
鑒于上述情況,本實用新型提供一種半導體引線鍵合工裝夾具及其加熱塊結構,以解決現有引線鍵合工裝夾具的加熱塊真空孔造成的焊接能量損耗問題。
為實現上述目的,本實用新型采取的技術方案是提供一種半導體引線鍵合加熱塊結構,所述加熱塊具有相對的頂面及底面,所述加熱塊設有貫穿所述頂面及所述底面的真空孔;其中,所述加熱塊的頂面成形為平面;所述真空孔內部成形有支撐肋,所述支撐肋的頂端成形為縷空平面,所述縷空平面與加熱塊的頂面齊平連接。
本實用新型的加熱塊結構實施例中,所述支撐肋成形為截面呈十字形的條狀支撐結構。
本實用新型的加熱塊結構實施例中,所述支撐肋成形有四個肋部,所述四個肋部成形為沿所述真空孔貫穿方向延伸的扁條狀結構,所述肋部的一側集中與其他肋部的一側連接,另一側與所述真空孔的孔壁連接。
本實用新型的加熱塊結構實施例中,所述支撐肋成形為截面呈一字形的條狀支撐結構。
本實用新型的加熱塊結構實施例中,所述支撐肋成形為截面呈人字形的條狀支撐結構。
本實用新型的加熱塊結構實施例中,所述支撐肋成形有三個肋部,所述三個肋部成形為沿所述真空孔貫穿方向延伸的扁條狀結構,所述肋部的一側集中與其他肋部的一側連接,另一側與所述真空孔的孔壁連接。
本實用新型的加熱塊結構實施例中,所述支撐肋貫設形成所述加熱塊的真空孔。
另外,本實用新型還提供一種半導體引線鍵合工裝夾具,其用于鍵合引線框架及芯片,所述引線框架上設有芯片引線焊接區;其中,所述工裝夾具包括壓板以及如前所述的加熱塊實施例,所述加熱塊的真空孔對應位于所述芯片引線焊接區下方。
本實用新型的工裝夾具實施例中,所述壓板成形有開窗部以及操作部;所述加熱塊的真空孔包括對應于所述開窗部的第一真空孔以及對應于所述操作部的第二真空孔,所述第一真空孔內部設有所述支撐肋,所述第二真空孔內部完全中空無支撐結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





