[實用新型]一種半導體可靠性測試結構

有效

• 申請號: 201820133476.6
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN207800555U
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 林倩;張曉明;賈國慶
• 申請（專利權）人: 青海民族大學
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種半導體可靠性測試結構，包括底座和支桿，所述連桿的下端設有第一夾桿，所述滑塊通過連桿與第一夾桿相連，所述第一夾桿的下端設有絲母，所述絲母的內壁設有絲杠，所述絲母與絲杠螺紋相連，所述絲杠的左端設有第二轉把，所述絲杠的右端設有卡桿，所述卡桿的外壁設有軸承，所述卡桿與軸承套接相連。該半導體可靠性測試結構，通過連桿與第一夾桿的配合，通過第一夾桿與絲母的配合，通過絲母與絲杠的配合，通過絲杠與第二轉把的配合，通過絲杠與卡桿的配合，通過卡桿與軸承的配合，可以方便在測試半導體的時候，夾取不同大小規格的半導體，可以全方位旋轉半導體，測試效果好，使用方便，實用性強。

技術領域

本實用新型涉及測試結構技術領域，具體為一種半導體可靠性測試結構。

背景技術

隨著半導體技術的發展，集成電路元件的尺寸也持續收縮，在半導體工藝的后段工藝(BEOL)中通常采用金屬互連層結構來實現電連接。而應力遷移(Stress Migrat ion，SM)是評價BEOL中金屬互連層結構可靠性的重要測試項目之一。通常，所述金屬互連層結構包括：兩層以上的金屬互連層，每層金屬互連層中包括若干條金屬互連線，若干金屬互連線間填充有介電材料予以隔離，上下相鄰的金屬互連層結構之間也利用介電材料予以隔離，上下相鄰的金屬互連線通過通孔相連。由于金屬互連線與介電材料的熱膨脹系數差異相當大，因此當多層金屬互連層結構的金屬互連線所處的環境的溫度產生較大的變化時，金屬互連線與介電材料所受到的熱應力差異也非常大，而使所述金屬互連層結構內產生了所謂的應力遷移，在品粒邊界處會形成很對空洞甚至出現開路，本實用新型專利設計一種半導體可靠性測試結構，解決了傳統半導體可靠性測試結構不能解決的可以方便在測試半導體的時候，夾取不同大小規格的半導體，可以全方位旋轉半導體，測試效果好，使用方便，實用性強的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種半導體可靠性測試結構，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種半導體可靠性測試結構，包括底座和支桿，所述底座的右側上端設有支桿，所述支桿的上端設有套環，所述套環的內壁設有轉桿，所述套環與轉桿套接相連，所述轉桿的右端內壁設有第一轉把，所述轉桿與第一轉把卡接相連，所述轉桿的外壁設有擋塊，所述擋塊與套環搭接相連，所述轉桿的左端設有地第二夾桿，所述第二夾桿的上端左側設有橫板，所述橫板的內壁設有滑槽，所述滑槽的內壁設有滑塊，所述滑槽與滑塊滑動卡接相連，所述滑塊的下端設有連桿，所述連桿的下端設有第一夾桿，所述滑塊通過連桿與第一夾桿相連，所述第一夾桿的下端設有絲母，所述絲母的內壁設有絲杠，所述絲母與絲杠螺紋相連，所述絲杠的左端設有第二轉把，所述絲杠的右端設有卡桿，所述卡桿的外壁設有軸承，所述卡桿與軸承套接相連。

優選的，所述底座的上端設有放置槽，所述放置槽的左側上端設有銷軸，所述銷軸的右端設有頂蓋，所述放置槽通過銷軸與頂蓋活動相連，所述頂蓋的右端設有頂桿，所述頂蓋的下端設有卡塊，所述卡塊與放置槽卡接相連。

優選的，所述支桿的下端外壁設有套筒。

優選的，所述底座的下端設有墊腳。

優選的，所述第一夾桿的右端設有墊板。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：該半導體可靠性測試結構，通過底座與支桿的配合，通過支桿與套環的配合，通過套環與轉桿的配合，通過轉桿與第一轉把的配合，通過轉桿與擋塊的配合，通過轉桿與第二夾桿的配合，通過第二夾桿與橫板的配合，通過橫板與滑槽的配合，通過滑槽與滑塊的配合，通過滑塊與連桿的配合，通過連桿與第一夾桿的配合，通過第一夾桿與絲母的配合，通過絲母與絲杠的配合，通過絲杠與第二轉把的配合，通過絲杠與卡桿的配合，通過卡桿與軸承的配合，可以方便在測試半導體的時候，夾取不同大小規格的半導體，可以全方位旋轉半導體，測試效果好，使用方便，實用性強。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖；