[實用新型]多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820118584.6 | 申請日: | 2018-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN207896085U | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳文彬;李國棟 | 申請(專利權)人: | 矽萊克電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新北市矽止*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二極管芯片 載晶板 引腳 電性連接 串聯(lián) 第二電極 電極引腳 引線框架 整流裝置 本實用新型 產(chǎn)品一致性 自動化設備 自動化生產(chǎn) 單獨設置 第一電極 反向耐壓 模塊封裝 低成本 耐電壓 固晶 固線 晶圓 合格率 隔離 生產(chǎn) | ||
1.一種多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,包括:
引線框架,為導體材質(zhì)并包含彼此隔離的N個載晶板及電極引腳組,其中N的數(shù)量至少為2,而電極引腳組包含N+1支引腳,第1支至第N支引腳分別電性連接至第1個至第N個載晶板,第N+1支引腳單獨設置;
N個二極管芯片,并于二極管芯片的背面與正面分別具有第一電極及第二電極,而N個二極管芯片設置于引線框架上并通過第一電極分別與N個載晶板相連接,該第1個至第N-1個二極管芯片的第二電極分別電性連接于第2個至第N個載晶板,且第N個二極管芯片的第二電極電性連接至第N+1支引腳;及
絕緣保護外層,設置在引線框架上并覆蓋N個二極管芯片,且電極引腳組外露于絕緣保護外層。
2.如權利要求1所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該引線框架的N個載晶板正投影面積為相同。
3.如權利要求1所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該引線框架于各二相鄰的載晶板相對內(nèi)側處為分別設有互補狀的凹部及凸部,以供N個載晶板形成交錯結構。
4.如權利要求1所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該引線框架的電極引腳組處為具有料件橫向連接的連接片,用于將N個載晶板連接彼此隔離有一間距,并以自動化固晶及固線方式生產(chǎn),且絕緣保護外層塑封成型后,再由裁切模具裁切成個別的個體。
5.如權利要求1所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該二極管芯片的第一電極與第二電極分別為二極管的陰極及陽極,并由第1個至第N-1個二極管芯片的第二電極通過引線分別電性連接于第2個至第N個載晶板,第N個二極管芯片的第二電極通過引線電性連接至電極引腳組的第N+1支引腳。
6.如權利要求5所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該二極管芯片是以硅為基底的肖特基二極管芯片、碳化硅肖特基二極管芯片或快恢復二極管芯片、P-N結二極管芯片、齊納二極管芯片、氮化鎵二極管芯片或砷化鎵二極管芯片。
7.如權利要求1所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該二極管芯片取自一片晶圓上相鄰具有相同耐電壓規(guī)格的芯片。
8.如權利要求1所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該引線框架的電極引腳組的第1支、第N+1支引腳分別作為陰極與陽極,且第2支至第N支引腳分別作為測試腳位。
9.如權利要求8所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該電極引腳組的第1支引腳與第N+1支引腳作為N個二極管芯片總串聯(lián)電性特性的測試腳位,每一組各二相鄰引腳分別作為對應的二極管芯片電性特性的測試腳位。
10.如權利要求1所述的多個二極管芯片串聯(lián)的整流裝置,其中該絕緣保護外層表面上為開設有至少一個鎖固孔。
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