[實用新型]LED芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820110796.X
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN208478365U
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 陳立人;陸騏峰
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/16;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本實用新型揭示了一種LED芯片，LED芯片包括襯底及位于襯底上的外延結構，襯底為藍寶石襯底，襯底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角。本實用新型的LED芯片使用特制的襯底，配合相應的工藝條件，在不需要另外制備掩膜的基礎上，生長出類量子線外延結構，進一步降低態(tài)密度，增強量子局限效應，從而提高發(fā)光或電子器件的性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體發(fā)光器件技術領域，尤其涉及一種LED芯片。

背景技術

LED照明燈是利用第四代綠色光源LED做成的一種照明燈具。LED被稱為第四代照明光源或綠色光源，具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長、體積小等特點，可以廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領域。

現(xiàn)有光電器件的主流技術多為量子阱結構。

Arakawa教授等于1986年在理論上預言，如果相鄰量子線或者量子點之間沒有強的耦合，則由它們制造的激光器在閾值電流、調(diào)制動力學和譜線特性等方面將優(yōu)于量子阱激光器。Sakaki教授于1987年預言，在量子線中，由于維度限制大大減小了彈性散射概率，就能得到非常高的電子遷移率，因此能用于制作高速電子器件。

量子線結構材料的研究不僅是半導體物理學、材料學研究的基本問題，而且其優(yōu)異的光學和電學特性可直接被利用制備成性能優(yōu)良的器件產(chǎn)品，因此國內(nèi)外都投入很大的資金和技術力量來從事這一領域的研究。

目前，如何提高器件產(chǎn)品的性能是研究重點。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種LED芯片。

為實現(xiàn)上述實用新型目的之一，本實用新型一實施方式提供一種LED芯片，包括襯底及位于所述襯底上的外延結構，所述襯底為藍寶石襯底，所述襯底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角，偏角范圍為0.7°～1.5°，所述外延結構包括量子線發(fā)光層，所述量子線發(fā)光層根據(jù)所述偏角生長而形成褶皺狀。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述偏角范圍為0.8°～1°。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述量子線發(fā)光層的發(fā)光區(qū)于所述外延結構疊加方向的高度不小于0.5nm。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述發(fā)光區(qū)的原子層數(shù)量不小于10個。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述外延結構由下向上依次包括緩沖層、高溫AlGaN層、N型AlGaN層、N型AlGaN表面處理層、量子線發(fā)光層、量子勢壘層、電子阻擋層、P型披覆層、P型接觸層，其中，所述量子線發(fā)光層為AlGaN/GaN多重類量子線發(fā)光層。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述外延結構由下向上依次包括低缺陷GaN層、InGaN應力調(diào)試層、N型AlGaN/GaN層、N型InGaN 表面處理層、量子線發(fā)光層、量子勢壘層、電子阻擋層、P型披覆層、P型接觸層，其中，所述量子線發(fā)光層為GaN/InGaN多重類量子線發(fā)光層。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型一實施方式的LED芯片使用特制的襯底，配合相應的工藝條件，在不需要另外制備掩膜的基礎上，生長出類量子線外延結構，進一步降低態(tài)密度，增強量子局限效應，從而提高發(fā)光或電子器件的性能。

附圖說明

圖1是本實用新型一實施方式的LED芯片示意圖；

圖2是本實用新型一實施方式的量子線發(fā)光層區(qū)域示意圖；

圖3是本實用新型另一實施方式的LED芯片示意圖；

圖4是本實用新型一實施方式的LED芯片的制造方法步驟圖。

具體實施方式