[實用新型]LED芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820110796.X | 申請日： | 2018-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN208478365U | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳立人;陸騏峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 聚燦光電科技（宿遷）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈曉敏 |
| 地址： | 223800 江蘇省宿遷市經(jīng)濟*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 晶面 本實用新型 外延結(jié)構(gòu) 量子局限效應(yīng) 電子器件 工藝條件 藍寶石 量子線 偏角 掩膜 制備 發(fā)光 生長 配合 | ||
1.一種LED芯片，其特征在于，包括襯底及位于所述襯底上的外延結(jié)構(gòu)，所述襯底為藍寶石襯底，所述襯底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角，偏角范圍為0.7°～1.5°，所述外延結(jié)構(gòu)包括量子線發(fā)光層，所述量子線發(fā)光層根據(jù)所述偏角生長而形成褶皺狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述偏角范圍為0.8°～1°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述量子線發(fā)光層的發(fā)光區(qū)于所述外延結(jié)構(gòu)疊加方向的高度不小于0.5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述發(fā)光區(qū)的原子層數(shù)量不小于10個。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)由下向上依次包括緩沖層、高溫AlGaN層、N型AlGaN層、N型AlGaN表面處理層、量子線發(fā)光層、量子勢壘層、電子阻擋層、P型披覆層、P型接觸層，其中，所述量子線發(fā)光層為AlGaN/GaN多重類量子線發(fā)光層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)由下向上依次包括低缺陷GaN層、InGaN應(yīng)力調(diào)試層、N型AlGaN/GaN層、N型InGaN表面處理層、量子線發(fā)光層、量子勢壘層、電子阻擋層、P型披覆層、P型接觸層，其中，所述量子線發(fā)光層為GaN/InGaN多重類量子線發(fā)光層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于聚燦光電科技（宿遷）有限公司，未經(jīng)聚燦光電科技（宿遷）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820110796.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：發(fā)光二極管的倒裝芯片
- 下一篇：發(fā)光二極管的芯片
