[實用新型]一種新型TRIPLE RESURF LDMOS

有效

• 申請號: 201820105024.7
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN207925479U
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 馬中發;彭雨程
• 申請（專利權）人: 西安因變光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 西安科果果知識產權代理事務所(普通合伙) 61233
• 代理人: 李倩

本實用新型公開了一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，涉及開關管技術領域，包括：重摻雜襯底和設置在所述重摻雜襯底上的輕摻雜外延層，所述輕摻雜外延層上設有漂移區，所述漂移區上從左到右依次設有摻雜濃度遞減的第一埋層、第二埋層和第三埋層，所述第一埋層、第二埋層和第三埋層的上方還設有氧化槽，所述重摻雜襯底、輕摻雜外延層、第一埋層、第二埋層和第三埋層均填充有第一摻雜類型，所述漂移區填充有第二摻雜類型。本實用新型提高了擊穿電壓，從而提高了TRIPLE RESURF LDMOS的可靠性。

技術領域

本實用新型涉及開關管技術領域，特別涉及一種新型TRIPLE RESURF LDMOS。

背景技術

LDMOS(橫向雙擴散金屬氧化物半導體，Lateral double-diffused MOStransistors)器件是一種良好的半導體，滿足了高耐壓，實現了功率控制等方面的要求。LDMOS是DMOS的一種，LDMOS作為一種近似于傳統的場效應晶體管(FET)器件的一種場效應晶體器件，主要包括在半導體襯底上形成溝道區域所分隔的源漏區域，并依次于溝道區域上方形成柵電極。

現有的TRIPLE RESURF LDMOS結構中，將一定濃度的埋層處于漂移區中，并將漂移區分為上下兩個部分，所以在縱方向上漂移區由埋層和其上部的漂移區，埋層和其下部的漂移區以及漂移區和外延層構成的三個PN結來輔助耗盡，在提高擊穿電壓的同時可以提高漂移區的濃度，降低導通電阻。

但上述TRIPLE RESURF LDMOS結構中，若埋層的濃度過高，就會使漏端附近表面附加電場增加，易使漏端發生擊穿；若埋層的濃度過低，就會使導通電阻增大且輔助耗盡也會受到影響，從而導致TRIPLE RESURF LDMOS的可靠性降低。

發明內容

有鑒于此，本實用新型提供一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其提高了擊穿電壓，從而提高了TRIPLE RESURF LDMOS的可靠性。

本實用新型通過以下技術手段解決上述問題：

本實用新型的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，包括：重摻雜襯底和設置在所述重摻雜襯底上的輕摻雜外延層，所述輕摻雜外延層上設有漂移區，所述漂移區上從左到右依次設有摻雜濃度遞減的第一埋層、第二埋層和第三埋層，所述第一埋層、第二埋層和第三埋層的上方還設有氧化槽，所述重摻雜襯底、輕摻雜外延層、第一埋層、第二埋層和第三埋層均填充有第一摻雜類型，所述漂移區填充有第二摻雜類型。

進一步，所述輕摻雜外延層上還設有溝道區和重摻雜區，所述重摻雜區設置在所述溝道區的左側，所述溝道區上還設有填充有所述第二摻雜類型的源區，所述源區設置在所述重摻雜區的右側，且所述源區上設有源極金屬區；所述漂移區上還設有填充有第二摻雜類型的漏區，所述漏區設置在所述氧化槽的右側，且所述漏區上設有漏極金屬區；所述溝道區上方設有柵區和絕緣介質層，所述氧化槽的上端與所述絕緣介質層接觸。

進一步，所述氧化槽周圍覆蓋有U型通道，所述絕緣介質層內設有偏置預設電位的電極，所述U型通道填充有第二摻雜類型。

進一步，所述第一埋層、第二埋層和第三埋層的長度之和小于等于所述漂移區的長度。

進一步，所述氧化槽的長度小于等于所述漂移區的長度，所述氧化槽的寬度小于等于所述漂移區的寬度。

進一步，所述第一埋層的第一摻雜類型的濃度小于所述漂移區的第二摻雜類型的濃度；所述U型通道的第二摻雜類型的濃度大于所述漂移區的第二摻雜類型的濃度。

進一步，所述第一摻雜類型包括P型，所述第二摻雜類型包括N型。

進一步，所述第一摻雜類型包括N型，所述第二摻雜類型包括P型。

本實用新型的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS具有以下有益效果：