[實用新型]一種新型TRIPLE RESURF LDMOS

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820105024.7
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN207925479U
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬中發(fā);彭雨程
• 申請（專利權(quán)）人: 西安因變光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 西安科果果知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61233
• 代理人: 李倩

1.一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：包括：重?fù)诫s襯底(1)和設(shè)置在所述重?fù)诫s襯底上的輕摻雜外延層(2)，所述輕摻雜外延層(2)上設(shè)有漂移區(qū)(3)，所述漂移區(qū)(3)上從左到右依次設(shè)有第二摻雜類型且摻雜濃度遞減的第一埋層(4)、第二埋層(5)和第三埋層(6)，所述第一埋層(4)、第二埋層(5)和第三埋層(6)的上方還設(shè)有氧化槽(7)，所述重?fù)诫s襯底、輕摻雜外延層、第一埋層、第二埋層和第三埋層均填充有第一摻雜類型，所述漂移區(qū)填充有第二摻雜類型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：所述輕摻雜外延層上還設(shè)有具有第一摻雜類型的溝道區(qū)(8)和重?fù)诫s區(qū)(9)，所述重?fù)诫s區(qū)(9)設(shè)置在所述溝道區(qū)的左側(cè)，所述溝道區(qū)(8)上還設(shè)有填充有所述第二摻雜類型的源區(qū)(10)，所述源區(qū)(10)設(shè)置在所述重?fù)诫s區(qū)的右側(cè)，且所述源區(qū)上設(shè)有源極金屬區(qū)(11)；所述漂移區(qū)(3)上還設(shè)有填充有第二摻雜類型的漏區(qū)(12)，所述漏區(qū)設(shè)置在所述氧化槽的右側(cè)，且所述漏區(qū)上設(shè)有漏極金屬區(qū)(13)；所述溝道區(qū)上方設(shè)有柵區(qū)(14)和絕緣介質(zhì)層(15)，所述氧化槽(7)的上端與所述絕緣介質(zhì)層(15)接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：所述氧化槽周圍覆蓋有U型通道(16)，所述絕緣介質(zhì)層內(nèi)設(shè)有偏置預(yù)設(shè)電位的電極(17)，所述U型通道填充有第二摻雜類型。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：所述第一埋層、第二埋層和第三埋層的長度之和小于等于所述漂移區(qū)的長度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：所述氧化槽的長度小于等于所述漂移區(qū)的長度，所述氧化槽的寬度小于等于所述漂移區(qū)的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：所述第一埋層的第一摻雜類型的濃度小于所述漂移區(qū)的第二摻雜類型的濃度；所述U型通道的第二摻雜類型的濃度大于所述漂移區(qū)的第二摻雜類型的濃度。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：所述第一摻雜類型包括P型，所述第二摻雜類型包括N型。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：所述第一摻雜類型包括N型，所述第二摻雜類型包括P型。