[實用新型]TFT陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201820096869.4
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN207925469U
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 陳曦
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

本實用新型提供一種TFT陣列基板，包括基板；第一光電薄膜；TFT器件，所述TFT器件包括半導體層、第一絕緣層、柵極金屬層、源/漏金屬層；其中，所述第一光電薄膜包括與所述半導體層對應重疊的重疊區。本實用新型還提供一種顯示裝置。本實用新型的TFT陣列基板及顯示裝置包括與半導體層重疊的第一光電薄膜的重疊區，這樣第一光電薄膜的重疊區就能阻擋紫外線從半導體層靠近第一光電薄膜的一側進入半導體層，從而避免了紫外線劣化TFT器件的特性，穩定性好。

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及顯示裝置。

背景技術

顯示屏已經廣泛應用于電視、電腦、手機、游戲機、導航等各類電子產品中。其中，薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor LCD，TFT器件-LCD)及有源矩陣有機發光二極體(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示裝置，由于其體積小、重量輕，并且具有高分辨率、高對比度、高解析度等特點而被廣泛應用。

其中，各類顯示裝置的TFT陣列基板TFT器件的半導體層可以使用非晶硅、微晶硅或者多晶硅。多晶硅主要包含高溫多晶硅(HTPS)與低溫多晶硅(LTPS)。

由于顯示裝置在生產的過程中有相關的制程等含紫外光照射，這樣就使得TFT器件的半導體層在受到紫外線照射后特性發生變化例如閾值電壓、漏電流發生偏移，會影響顯示裝置的顯示效果。例如AMOLED顯示裝置在進行屏體薄化時，需采用紫外線固化以防止滲液，但其遮光擋板無法完全保護顯示區域，這樣顯示區域的TFT器件的半導體層在受到紫外線照射后容易劣化TFT器件的特性例如閾值電壓、漏電流特性，從而影響顯示效果。又例如AMOLED顯示裝置在進行屏體補強時，紫外光照射屏體背面，背面噴碼區和非噴碼區的TFT器件受到的光照強度不同，這樣使得這兩個區域的TFT器件特性如閾值電壓、漏電流特性不同，就會造成噴碼顯示異常。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種能避免TFT器件特性受紫外線的影響，穩定性好的TFT陣列基板及顯示裝置。

本實用新型提供一種TFT陣列基板，包括基板；第一光電薄膜；TFT器件，所述TFT器件包括半導體層、第一絕緣層、柵極金屬層、源/漏金屬層；其中，所述第一光電薄膜包括與所述半導體層對應重疊的重疊區。本實用新型還提供一種顯示裝置。

進一步地，所述第一光電薄膜位于所述基板的上方，所述TFT器件位于所述第一光電薄膜的上方。

進一步地，所述第一光電薄膜的大小及形狀分別對應與所述半導體層的大小及形狀相同；或所述第一光電薄膜的大小及形狀分別對應與所述基板的大小及形狀相同。

進一步地，所述基板包括襯底及緩沖層，所述第一光電薄膜位于所述襯底與所述緩沖層之間。

進一步地，所述半導體層位于所述第一光電薄膜的上方，所述第一絕緣層位于所述半導體層的上方，所述柵極金屬層位于所述第一絕緣層的上方，所述源/漏金屬層位于所述第一絕緣層的上方。

進一步地，所述TFT陣列基板還包括位于源/漏金屬層上方的第二絕緣層，以及位于第二絕緣層上方的第二光電薄膜；其中，所述第二光電薄膜包括與所述半導體層對應重疊的重疊區。

進一步地，所述第二光電薄膜的形狀及大小分別對應與第一光電薄膜的形狀及大小相同。

進一步地，所述TFT器件為底柵結構。

本實用新型還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的TFT陣列基板。

進一步地，所述顯示裝置為AMOLED顯示裝置。