[實用新型]TFT陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號： | 201820096869.4 | 申請日： | 2018-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN207925469U | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 陳曦 | 申請（專利權）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人： | 楊波 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體層 光電薄膜 本實用新型 顯示裝置 重疊區 紫外線 絕緣層 源/漏金屬層 柵極金屬層 基板 劣化 阻擋 | ||
1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：
基板；
第一光電薄膜；
TFT器件，所述TFT器件包括半導體層、第一絕緣層、柵極金屬層、源/漏金屬層；
其中，所述第一光電薄膜包括與所述半導體層對應重疊的重疊區。
2.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，第一光電薄膜位于所述基板的上方，所述TFT器件位于所述第一光電薄膜的上方。
3.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一光電薄膜的大小及形狀分別對應與所述基板的大小及形狀相同；或所述第一光電薄膜的大小及形狀分別對應與所述半導體層的大小及形狀相同。
4.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述基板包括襯底及緩沖層，所述第一光電薄膜位于所述襯底與所述緩沖層之間。
5.如權利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述半導體層位于所述第一光電薄膜的上方，所述第一絕緣層位于所述半導體層的上方，所述柵極金屬層位于所述第一絕緣層的上方，所述源/漏金屬層位于所述半導體層的上方。
6.如權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括位于源/漏金屬層上方的第二絕緣層，以及位于第二絕緣層上方的第二光電薄膜；
其中，所述第二光電薄膜包括與所述半導體層對應重疊的重疊區。
7.如權利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二光電薄膜的形狀及大小分別對應與第一光電薄膜的形狀及大小相同。
8.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT器件為底柵結構。
9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1至8任意一項所述的TFT陣列基板。
10.如權利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為AMOLED顯示裝置。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
