[實用新型]晶圓清洗裝置

有效

• 申請號: 201820096591.0
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN207752978U
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 張家永;高英哲;張文福
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/673;B08B3/08;B08B13/00
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓清洗裝置。所述晶圓清洗裝置，包括用于容納晶圓的腔室，還包括管道和控制器；所述管道從所述腔室內部延伸至所述腔室外部；所述控制器，連接所述管道，用于判斷所述腔室內的PH值是否低于第一預設值，若是，則控制所述管道對所述腔室進行排氣。本實用新型避免了因酸氣在腔室內部聚集易對晶圓表面造成腐蝕的問題，提高了晶圓產品的良率。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓清洗裝置。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在晶圓加工過程中，需根據需要去除晶圓表面殘留的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層、石英、塑料等污染物，且不破壞晶圓的表面特性。為此，在晶圓的制造過程中需要經過多次清洗步驟。然而，隨著特征尺寸的不斷縮小，對晶圓制造過程中濕法清洗工藝的要求越來越高。濕法清洗通常采用化學藥液和去離子水作為清洗劑，經過一系列的清洗工藝步驟，以實現對晶圓表面污染物的去除。現有技術中的晶圓濕法清洗分為槽式清洗和單片式清洗。隨著對晶圓表面潔凈度的要求越來越高，而單片式清洗可以降低清洗過程中的交叉污染、提高成品率，因此，現有的濕法清洗逐漸由傳統的槽式清洗向單片式清洗過渡。

單片式清洗通常是在晶圓清洗裝置中進行，例如型號為LAM DV34的濕法清洗裝置。然而，由于在晶圓清洗過程中，經常需要使用酸性溶液作為清洗劑，而酸性溶液在清洗過程中，尤其是在溫度較高的條件下，易揮發產生酸霧，使得晶圓清洗腔室中的酸氣濃度過高。而過高的酸氣濃度會對晶圓表面造成輕微腐蝕，影響產品良率。

因此，如何有效避免晶圓清洗腔室中過高的酸氣濃度對晶圓的腐蝕，以確保產品良率，是目前亟待解決的技術問題。

實用新型內容

本實用新型提供一種晶圓清洗裝置，用以解決現有的晶圓清洗腔室中過高的酸氣濃度易對晶圓表面造成腐蝕的問題，以提高晶圓產品的良率。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種晶圓清洗裝置，包括用于容納晶圓的腔室，還包括管道和控制器；所述管道從所述腔室內部延伸至所述腔室外部；所述控制器，連接所述管道，用于判斷所述腔室內的PH值是否低于第一預設值，若是，則控制所述管道對所述腔室進行排氣。

優選的，所述第一預設值為7。

優選的，還包括檢測器；所述檢測器，連接所述控制器，用于檢測所述腔室內部的PH值并傳輸至所述控制器。

優選的，所述管道位于所述腔室外部的第一出口連接真空泵、位于所述腔室內部的第二出口連接所述檢測器。

優選的，還包括流量調節閥，設置于所述第二出口處，用于調節所述管道排氣的流量。

優選的，所述控制器，連接所述流量調節閥，用于判斷所述腔室內的PH值是否低于第二預設值，若是，則控制所述流量調節閥以第一預設流量對所述腔室進行排氣。

優選的，所述控制器，還用于判斷所述腔室內的PH值是否高于第二預設值且低于第一預設值，若是，則控制所述流量調節閥以第二預設流量對所述腔室進行排氣。

優選的，還包括顯示器；所述顯示器，連接所述控制器，用于顯示所述腔室內的PH值。

本實用新型提供的晶圓清洗裝置，通過增設管道和控制器，利用控制器判斷用于容納晶圓的腔室中的PH值是否低于預設值，若是，則利用所述管道開始對所述腔室內部進行排氣，實現了根據所述腔室內部的PH值自動對所述腔室進行排氣的操作，避免了因酸氣在所述腔室內部聚集易對晶圓表面造成腐蝕的問題，提高了晶圓產品的良率。

附圖說明

附圖1是本實用新型具體實施方式中晶圓清洗裝置的結構框圖；

附圖2是本實用新型具體實施方式中晶圓清洗裝置的結構示意圖。