[實用新型]發光二極管

有效

• 申請號: 201820090736.6
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN207542270U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 王鋒;詹宇;陳亭玉;林素慧;洪靈愿;許圣賢;彭康偉;張家宏
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

發光二極管，包括：發光外延層，自上而下依次包括第一半導體層、發光層和第二半導體層；第一電極，包括形成于所述第一半導體層之上，并與所述第一半導體層形成電性連接；第二電極，形成于所述第二半導體層之上，并與所述第二半導體層形成電性連接；所述第一電極具有焊盤部和擴展部，所述焊盤部的下方設有絕緣層，所述絕緣層具有至少兩個塊狀結構，圍繞所述焊盤區的中心區域分布，所述塊狀結構之間彼此分離。

技術領域

本實用新型涉及半導體元件，尤其是涉及一種發光二極管。

背景技術

由于發光二極管具有壽命長、體積小、高耐震性、發熱度小以及耗電量低等優點，發光二極管已被廣泛地應用于家電產品以及各式儀器之指示燈或光源。

早期的氮化鎵LED芯片制作工藝通常由臺面蝕刻(MESA)、制作透明導電層（例如ITO）、制作電極和制作保護層四道工藝組成，其形成的發光二極管芯片如圖1所示，其一般包括襯底101、N型層111、發光層112、P型層113、透明導電層120、P電極141(焊盤143和擴展條144)、N電極142和保護層130。在氮化鎵LED中，p-GaN由于其載流子遷移率較低，通常會在PAD底部造成一定的電流擁堵。因此，現在通常會在P型電極的底部增加電流阻擋層150，用于抑制電流的過注入，增加透明導電層的電流擴散，如圖2所示。該芯片制作工藝通常至少包括臺面蝕刻(MESA)、制作電流阻擋層、制作電流擴展層（例如ITO）、制作電極和制作保護層五道工藝。

實用新型內容

本實用新型提供了一種發光二極管，其在電極的焊盤部下方形成一環繞式分離的塊狀絕緣層，可以增電極焊盤表面的起伏，增強焊線的可靠性，焊球不易脫落或外力作用下不易被推掉。

本實用新型的技術方案為：發光二極管，包括：發光外延層，自上而下依次包括第一半導體層、發光層和第二半導體層；第一電極，包括形成于所述第一半導體層之上，并與所述第一半導體層形成電性連接；第二電極，形成于所述第二半導體層之上，并與所述第二半導體層形成電性連接；所述第一電極具有焊盤部和擴展部，所述焊盤部的下方設有絕緣層，所述絕緣層具有至少兩個塊狀結構，圍繞所述焊盤區的中心區域分布，所述塊狀結構之間彼此分離。

優選地，所述塊狀結構之間具有間隙，所述第一電極的焊盤部與所述擴展部之間的連接部位于所述間隙。

優選地，所述第一電極的焊盤部的部分下表面直接接觸所述第一半導體層的表面。

優選地，所述第一電極的焊盤部的上表面呈臺階狀。

優選地，所述發光二極管還包括保護層，其覆蓋所述發光外延層的上表面，僅在所述第一電極和第二電極的下方形成一些開口作為導電通道。

優選地，所述保護層位于所述第一半導體層與所述第一電極之間。

優選地，所述保護層在第一電極的焊盤部下方形成開口，其面積小于所述第一電極的焊盤部的面積。

優選地，所述絕緣層的塊狀結構之間圍成一個內部區域，所述開口位于所述區域內。

優選地，所述擴展部形成于所述保護層之上，并通過開口結構與所述第一半導體層形成電性連接。

優選地，所述擴展部與所述第一半導體層之間依次設置有保護層、透明導電層和絕緣層。

優選地，所述第一電極的焊盤部與所述第一半導體層之間設有保護層和透明導電層和所述絕緣層，所述第一電極的焊盤部同時與所述保護層和第一半導體層的表面直接接觸。

優選地，所述第二電極具有焊盤部和擴展部，所述第二電極的焊盤部形成于所述第二半導體層之上，其與所述第二半導體層之間設置有絕緣層和保護層。