[實用新型]發光二極管有效
| 申請號： | 201820090736.6 | 申請日： | 2018-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN207542270U | 公開（公告）日： | 2018-06-26 |
| 發明（設計）人： | 王鋒;詹宇;陳亭玉;林素慧;洪靈愿;許圣賢;彭康偉;張家宏 | 申請（專利權）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361009 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體層 絕緣層 發光二極管 第一電極 電性連接 塊狀結構 焊盤部 發光外延層 彼此分離 第二電極 中心區域 發光層 焊盤區 擴展部 | ||
1.發光二極管，包括：
發光外延層，自上而下依次包括第一半導體層、發光層和第二半導體層；
第一電極，包括形成于所述第一半導體層之上，并與所述第一半導體層形成電性連接；
第二電極，形成于所述第二半導體層之上，并與所述第二半導體層形成電性連接；
其特征在于：所述第一電極具有焊盤部和擴展部，所述焊盤部的下方設有絕緣層，所述絕緣層具有至少兩個塊狀結構，圍繞所述焊盤區的中心區域分布，所述塊狀結構之間彼此分離。
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述塊狀結構之間具有間隙，所述第一電極的焊盤部與所述擴展部之間的連接部位于所述間隙。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一電極的焊盤部的部分下表面直接接觸所述第一半導體層的表面。
4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一電極的焊盤部的上表面呈臺階狀。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：還包括保護層，其覆蓋所述發光外延層的上表面，僅在所述第一電極和第二電極的下方形成一些開口作為導電通道。
6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于：所述保護層位于所述第一半導體層與所述第一電極之間。
7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述保護層在第一電極的焊盤部下方形成開口，其面積小于所述第一電極的焊盤部的面積。
8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層的塊狀結構之間圍成一個內部區域，所述開口位于所述區域內。
9.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述擴展部形成于所述保護層之上，并通過開口結構與所述第一半導體層形成電性連接。
10.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述擴展部與所述第一半導體層之間依次設置有保護層、透明導電層和絕緣層。
11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一電極的焊盤部與所述第一半導體層之間設有保護層和透明導電層和所述絕緣層，所述第一電極的焊盤部同時與所述保護層和第一半導體層的表面直接接觸。
12.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第二電極具有焊盤部和擴展部，所述第二電極的焊盤部形成于所述第二半導體層之上，其與所述第二半導體層之間設置有絕緣層和保護層。
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