[實用新型]氯硅烷液體中和處理裝置有效
| 申請號: | 201820090366.6 | 申請日: | 2018-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN207941522U | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發明(設計)人: | 吳中明 | 申請(專利權)人: | 德山化工(浙江)有限公司 |
| 主分類號: | B01J19/18 | 分類號: | B01J19/18 |
| 代理公司: | 上海唯源專利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
| 地址: | 314201 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液體流出口 氯硅烷液體 供應管 中和處理裝置 本實用新型 堿性中和液 惰性氣體 鹽酸腐蝕 儲存槽 噴射管 噴射 堵塞 二氧化硅 技術手段 裝置結構 側壁 圍設 中和 儲存 | ||
本實用新型提供了一種氯硅烷液體中和處理裝置,包括中和所述氯硅烷液體的堿性中和液、儲存所述堿性中和液的儲存槽、供應所述氯硅烷液體的供應管及用于噴射惰性氣體的噴射管,所述供應管設于所述儲存槽內,所述噴射管設于所述供應管的液體流出口的周圍以向圍設形成所述液體流出口的液體流出口側壁噴射惰性氣體防止液體流出口堵塞以及副生鹽酸腐蝕所述供應管。通過上述技術手段可以大大減輕氯硅烷液體與水發生反應副生二氧化硅堵塞供應管的液體流出口部以及副生鹽酸腐蝕液體流出口部。本實用新型裝置結構簡單、使用方便,具有較強的實用性。
技術領域
本實用新型涉及凈化回收技術領域,具體來說涉及一種氯硅烷液體中和處理裝置。
背景技術
氯硅烷作為有機硅樹脂的原料、表面處理劑、硅晶片以及太陽能電池中使用的多晶硅的原料被廣泛使用。作為有機硅樹脂原料的二甲基二氯硅烷是通過金屬硅和氯代甲烷反應合成的,多晶硅原料的三氯硅烷是通過金屬硅和氯化氫反應合成的。
上述反應都是通過蒸餾塔精制,需要能生產所要求純度的氯硅烷生產工段。通過蒸餾被分離出來的目標產物以外的氯硅烷,根據需要可以使用在二氧化硅的原料和表面處理劑等中,但最終在蒸餾中未能充分精制的氯硅烷液體,必須要進行堿性水溶液中和后廢棄。
如圖1所示是現有技術中氯硅烷液體的中和裝置的代表式樣簡略圖。將氯硅烷液體供應管1的液體流出口部浸在儲存槽2中的堿性中和液3的液體表面,通過將氯硅烷液體混入到堿性中和液中進行處理,這是一般的方法。但這種方法具有以下問題:和水反應的氯硅烷液體會副生二氧化硅,堵塞氯硅烷液體供應管1的液體流出口部,副生的鹽酸氣體會腐蝕管線,不能長期使用。特別是如果氯硅烷液體是通過上述的金屬硅和氯化氫反應制造三氯氫硅工藝中所排出來的廢液,該廢液中大多會含有來源于金屬硅中的金屬雜質中的固體金屬氯化物,如果像這樣氯硅烷液體中含有固體物,該固體物會粘附在液體流出口側壁上,容易發生二氧化硅的堆積和副生鹽酸氣體的冷凝,上述液體流出口部的堵塞和腐蝕問題會更加嚴重。
也有如下的不是使用氯硅烷的液體進行中和,而是使用氯硅烷氣體進行中和的方法。使氯硅烷廢氣伴隨著氮氣,進入噴淋式除害塔頂部,進行堿性中和液處理,堿性中和液儲存在儲存槽中。當然,如果是氣體狀的,那么氯硅烷的濃度肯定要比液體狀低很多,而且即使是上述金屬硅和氯化氫反應生成三氯氫硅的制造工藝中排出來的氯硅烷,也不會含有固體金屬氯化物等的固體物,所以廢氣供應管線的出口部也不會發生上述副生二氧化硅的堵塞以及鹽酸腐蝕問題。因此相關的氯硅烷廢氣的噴淋式中和處理和上述氯硅烷液體的中和處理是完全不同的技術,在解決該氯硅烷液體的中和處理中的上述氯硅烷液體供應管的堵塞以及腐蝕問題上,不能作為任何的參考。
實用新型內容
鑒于上述情況,本實用新型提供一種氯硅烷液體處理裝置,能防止氯硅烷液體因和堿性中和液相接觸產生的副生二氧化硅堵塞氯硅烷液體供應管的液體流出口部,以及可以減少副生鹽酸氣體對管線的腐蝕,特別是以金屬硅為原料合成的氯硅烷液體,蒸餾殘渣中會含有氯化鋁為主的金屬雜質。這些金屬雜質是以固體形式存在,上述氯硅烷液體供應管的液體流出口部的堵塞會更加頻繁的發生。
為實現上述目的,本實用新型采取的技術方案是:一種氯硅烷液體中和處理裝置,包括中和所述氯硅烷液體的堿性中和液及儲存所述堿性中和液的儲存槽,所述處理裝置還包括:
供應所述氯硅烷液體的供應管,所述供應管的下端成形有氯硅烷液體流出口,所述液體流出口延伸至所述堿性中和液的儲存槽內,所述液體流出口位于所述堿性中和液的液面上方;
用于噴射惰性氣體的噴射管,所述噴射管包括噴射管管體及送氣管,所述噴射管管體的一端成形有向下的氣體噴出口,所述氣體噴出口的高度高于所述氯硅烷液體流出口,所述噴射管設于所述液體流出口的周圍以向圍設形成所述液體流出口的液體流出口側壁周圍噴射惰性氣體,所述送氣管與所述噴射管管體連通設置。
本實用新型實施例中,所述供應管的液體流出口與所述堿性中和液的液面之間的距離為500~2000mm。
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