[實(shí)用新型]一種用于阻變存儲(chǔ)器的雙參考源的自調(diào)諧寫驅(qū)動(dòng)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820048765.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207966494U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳鋮穎;黃新棟;尹華一;許新愉;魏聰;易璐茗;張琳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門理工學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G11C13/00 | 分類號(hào): | G11C13/00 |
| 代理公司: | 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218 | 代理人: | 何建華 |
| 地址: | 361000 福建省*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 調(diào)諧 阻變存儲(chǔ)器 寫電壓 階梯脈沖 判決模塊 驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器 閾值參考電壓 本實(shí)用新型 極性選擇器 寫驅(qū)動(dòng)電路 信號(hào)輸出 阻值狀態(tài) 發(fā)生器 參考源 寫脈沖 輸出 兩路信號(hào) 驅(qū)動(dòng)能力 位線信號(hào) 寫入操作 源線信號(hào) 參考 功耗 升高 | ||
本實(shí)用新型公開了一種用于阻變存儲(chǔ)器的雙參考源的自調(diào)諧寫驅(qū)動(dòng)電路,包括雙參考源自調(diào)諧模塊、判決模塊、寫脈沖發(fā)生器、寫驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器和極性選擇器,寫脈沖發(fā)生器在初始狀態(tài)下,產(chǎn)生逐漸升高的階梯脈沖寫電壓信號(hào),寫驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器輸入階梯脈沖寫電壓信號(hào),增強(qiáng)寫電壓的驅(qū)動(dòng)能力,同時(shí)輸出兩路信號(hào),第一路信號(hào)輸出到極性選擇器,產(chǎn)生位線信號(hào)BL和源線信號(hào)SL;第二路信號(hào)輸出到雙參考源自調(diào)諧模塊,分別與高閾值參考電壓Ref_high和低閾值參考電壓Ref_low進(jìn)行比較,確定此時(shí)阻變存儲(chǔ)器的阻值狀態(tài),并輸出到判決模塊中,判決模塊依據(jù)此時(shí)阻變存儲(chǔ)器的阻值狀態(tài),判斷其是否已完成寫入操作,從而繼續(xù)增大或終止階梯脈沖寫電壓信號(hào)。本實(shí)用新型精度高、功耗低。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于電路技術(shù)領(lǐng)域,具體地涉及一種用于阻變存儲(chǔ)器的雙參考源的自調(diào)諧寫驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)
近年來,隨著半導(dǎo)體制造工藝水平的不斷提高,非易失性存儲(chǔ)器在集成度、存取速度、存儲(chǔ)容量等方面得到極大的發(fā)展。目前,主流的閃存(Flash)技術(shù)在32nm工藝下遇到不可突破的瓶頸。因此,尋找一種新的存儲(chǔ)機(jī)制來替代閃存技術(shù)成為存儲(chǔ)器發(fā)展的必然趨勢(shì)。在多種新型存儲(chǔ)技術(shù)中,阻變存儲(chǔ)器(RRAM)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、讀寫速度快、制造成本低、功耗低、特征尺寸可縮小等特點(diǎn),被認(rèn)為是取代閃存技術(shù)的次世代存儲(chǔ)器。但阻變存儲(chǔ)器的寫入電壓值范圍較大,傳統(tǒng)的斜坡脈沖電壓寫入技術(shù),雖然可以完成寫入操作。但寫入完成后,斜坡脈沖電壓仍會(huì)持續(xù)增加,增加了電路功耗;此外,由于阻變存儲(chǔ)器在不同溫度下,阻值分布較為分散,使用單參考源進(jìn)行邏輯值判斷,容易造成高、低邏輯電平窗口受限,降低了寫入良率。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于阻變存儲(chǔ)器的雙參考源的自調(diào)諧寫驅(qū)動(dòng)電路用以解決上述的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種用于阻變存儲(chǔ)器的雙參考源的自調(diào)諧寫驅(qū)動(dòng)電路,包括雙參考源自調(diào)諧模塊、判決模塊、寫脈沖發(fā)生器、寫驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器和極性選擇器,寫脈沖發(fā)生器在初始狀態(tài)下,產(chǎn)生逐漸升高的階梯脈沖寫電壓信號(hào),寫驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器輸入階梯脈沖寫電壓信號(hào),增強(qiáng)寫電壓的驅(qū)動(dòng)能力,同時(shí)輸出兩路信號(hào),第一路信號(hào)輸出到極性選擇器,產(chǎn)生位線信號(hào)BL和源線信號(hào)SL;第二路信號(hào)輸出到雙參考源自調(diào)諧模塊,分別與高閾值參考電壓Ref_high和低閾值參考電壓Ref_low進(jìn)行比較,確定此時(shí)阻變存儲(chǔ)器的阻值狀態(tài),并輸出到判決模塊中,判決模塊依據(jù)此時(shí)阻變存儲(chǔ)器的阻值狀態(tài),判斷其是否已完成寫入操作,從而繼續(xù)增大或終止階梯脈沖寫電壓信號(hào)。
進(jìn)一步的,所述雙參考源自調(diào)諧模塊包括比較器comp1、比較器comp2、施密特觸發(fā)器sch1、施密特觸發(fā)器sch2、與非門NAND1、與非門NAND2和與非門NAND3,比較器comp1和比較器comp2將寫驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器的第二路信號(hào)分別與高閾值參考電壓Ref_high和低閾值參考電壓Ref_low進(jìn)行比較,確定此時(shí)阻變存儲(chǔ)器的阻值狀態(tài),施密特觸發(fā)器sch1和sch2分別連接到比較器comp1和comp2的輸出端,將比較結(jié)果進(jìn)行鎖存,施密特觸發(fā)器sch1和sch2的輸出信號(hào)與判決模塊的輸入信號(hào)DATA及其反向信號(hào)DATA_N分別輸入到與非門NAND1和NAND2中進(jìn)行運(yùn)算,并最終輸出到第三個(gè)與非門NAND3中,產(chǎn)生判決模塊的反饋控制信號(hào)FB_N。
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