[實用新型]一種用于阻變存儲器的雙參考源的自調諧寫驅動電路有效
| 申請號: | 201820048765.6 | 申請日: | 2018-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN207966494U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 陳鋮穎;黃新棟;尹華一;許新愉;魏聰;易璐茗;張琳 | 申請(專利權)人: | 廈門理工學院 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00 |
| 代理公司: | 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司 35218 | 代理人: | 何建華 |
| 地址: | 361000 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調諧 阻變存儲器 寫電壓 階梯脈沖 判決模塊 驅動電壓產生器 閾值參考電壓 本實用新型 極性選擇器 寫驅動電路 信號輸出 阻值狀態 發生器 參考源 寫脈沖 輸出 兩路信號 驅動能力 位線信號 寫入操作 源線信號 參考 功耗 升高 | ||
1.一種用于阻變存儲器的雙參考源的自調諧寫驅動電路,其特征在于:包括雙參考源自調諧模塊、判決模塊、寫脈沖發生器、寫驅動電壓產生器和極性選擇器,寫脈沖發生器在初始狀態下,產生逐漸升高的階梯脈沖寫電壓信號,寫驅動電壓產生器輸入階梯脈沖寫電壓信號,增強寫電壓的驅動能力,同時輸出兩路信號,第一路信號輸出到極性選擇器,產生位線信號BL和源線信號SL;第二路信號輸出到雙參考源自調諧模塊,分別與高閾值參考電壓Ref_high和低閾值參考電壓Ref_low進行比較,確定此時阻變存儲器的阻值狀態,并輸出到判決模塊中,判決模塊依據此時阻變存儲器的阻值狀態,判斷其是否已完成寫入操作,從而繼續增大或終止階梯脈沖寫電壓信號。
2.根據權利要求1所述的用于阻變存儲器的雙參考源的自調諧寫驅動電路,其特征在于:所述雙參考源自調諧模塊包括比較器comp1、比較器comp2、施密特觸發器sch1、施密特觸發器sch2、與非門NAND1、與非門NAND2和與非門NAND3,比較器comp1和比較器comp2將寫驅動電壓產生器的第二路信號分別與高閾值參考電壓Ref_high和低閾值參考電壓Ref_low進行比較,確定此時阻變存儲器的阻值狀態,施密特觸發器sch1和sch2分別連接到比較器comp1和comp2的輸出端,將比較結果進行鎖存,施密特觸發器sch1和sch2的輸出信號與判決模塊的輸入信號DATA及其反向信號DATA_N分別輸入到與非門NAND1和NAND2中進行運算,并最終輸出到第三個與非門NAND3中,產生判決模塊的反饋控制信號FB_N。
3.根據權利要求2所述的用于阻變存儲器的雙參考源的自調諧寫驅動電路,其特征在于:所述判決模塊包括反向器INV1、反向器INV2、NMOS晶體管NM1、NMOS晶體管NM2、同或門XNOR、PMOS晶體管PM1和與門AND1,輸入信號DATA經過反向器INV1變成反向信號DATA_N,輸入信號DATA與反饋控制信號FB_N輸入到同或門XNOR中產生復位或置位信號set_rst;PMOS晶體管PM1為上拉晶體管,接在電源與同或門XNOR的輸出端之間,PMOS晶體管PM1的柵極由使能控制信號WEN經過延遲單元后的延遲信號PU進行控制,NMOS晶體管NM1的柵極由復位或置位信號set_rst信號經過反向器INV2產生的信號進行控制,NMOS晶體管NM2的柵極由輸入信號DATA信號進行控制,NMOS晶體管NM1與NM2串聯,NMOS晶體管NM1的漏極連接至同或門XNOR的用于輸入反饋控制信號FB_N的輸入端,NMOS晶體管NM2的源極接地,與門AND1的輸入分別為復位或者置位信號set_rst和使能控制信號WEN,當二者同時為“1”時,產生寫脈沖發生器使能信號J-out,寫脈沖發生器開始產生階梯脈沖寫電壓信號。
4.根據權利要求3所述的用于阻變存儲器的雙參考源的自調諧寫驅動電路,其特征在于:所述寫脈沖發生器由33個串聯的電阻和復用器組成,從電源到地電位上分為32個電壓值,由信號IN[4:0]控制產生5bit階梯脈沖電壓。
5.根據權利要求3或4所述的用于阻變存儲器的雙參考源的自調諧寫驅動電路,其特征在于:所述寫驅動電壓產生器包括跨導放大器OTA、NMOS管NM3、PMOS晶體管PM2、PMOS晶體管PM3和電阻R1,電阻R1的阻值為阻變存儲器阻值,PMOS晶體管PM2和PMOS晶體管PM3組成一個電流鏡,跨導放大器OTA的同相輸入端輸入階梯脈沖寫電壓信號,跨導放大器OTA的反相輸入端與NMOS管NM3的源極連接,跨導放大器OTA的的輸出端接NMOS管NM3的柵極,NMOS管NM3的漏極接PMOS晶體管PM2的漏極,NMOS管NM3的源極輸出第一路信號到極性選擇器,電阻R1接在PMOS晶體管PM3的漏極與地之間,PMOS晶體管PM3的漏極與電阻R1之間的節點為第二路信號的輸出端。
6.根據權利要求5所述的用于阻變存儲器的雙參考源的自調諧寫驅動電路,其特征在于:所述極性選擇器包括反向器INV3、反向器INV4、與門AND2、與非門NAND4、與非門NAND5、反向器INV5、傳輸門TG1-TG4以及延遲單元,輸入信號DATA和使能控制信號WEN經過反向器INV3、反向器INV4、與門AND2、與非門NAND4、與非門NAND5、反向器INV5以及延遲單元運算后,產生傳輸門控制信號DSB_N、DSB、DS_N和DS以及延遲信號PU;傳輸門TG1-TG4在傳輸門控制信號DSB_N、DSB、DS_N和DS的控制下,將第一路信號和地電位交替輸出為位線信號BL和源線信號SL。
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