[實用新型]一種用于替代齊納管的穩(wěn)壓電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820043812.8 | 申請日: | 2018-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN207704303U | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李河清;陳利;姜帆;劉玉山 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門安斯通微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361011 福建省廈門市湖里*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 泄放通路 比較器 電阻 分壓電阻網(wǎng)絡 信號選擇開關 電源電壓 穩(wěn)壓電路 本實用新型 參考電壓 輸出控制 穩(wěn)定電壓 反向器 主電路 替代 穩(wěn)壓 兼容 檢測 | ||
一種用于替代齊納管的穩(wěn)壓電路,包括比較器、分壓電阻網(wǎng)絡、泄放通路和信號選擇開關組成;所述比較器由第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2),第一NMOS管(MN1),第二NMOS管(MN2)和電阻(R0)組成;所述分壓電阻網(wǎng)絡由第一電阻(R1),第二電阻(R2)和第三電阻(R3)組成;所述泄放通路包括第三PMOS管(MP3)和第三NMOS管(MN3);所述信號選擇開關有第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)和反向器(INV)。本實用新型沒有運用特殊器件,采用與主電路相兼容的CMOS工藝,不會增加額外的層次,只是通過檢測電源電壓,通過比較器與參考電壓進行比較,比較器的輸出控制泄放通路,當電源電壓超過設定的穩(wěn)定電壓時,泄放通路打開,該模塊起作用,實現(xiàn)齊納管相同的穩(wěn)壓功能。
技術領域
本實用新型涉及集成電路設計領域,特別提供一種用于替代齊納管的穩(wěn)壓電路。
背景技術
在集成電路設計中,當電源電壓需要穩(wěn)定到一個固定值時,通常的做法是在電源和地之間加一個齊納管進行穩(wěn)壓,此種方法簡單易于實現(xiàn),但也有其自身的缺點:若整個電路只有穩(wěn)壓部分用到了齊納管,則需要額外增加齊納層MASK,相應的增加了成本,特別對于利潤低、競爭激烈的產(chǎn)品,這個缺點就更加顯著;同時,對于一種工藝,齊納管的穩(wěn)壓值是一定的,只有一個固定的值,此值不精確,隨環(huán)境溫度變化較大,且不可調(diào)節(jié),當需要其他穩(wěn)壓值時,就無法滿足需要,從而限制了齊納管的應用。
實用新型內(nèi)容
為了解決上述問題,本實用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單,穩(wěn)壓值精度高、可調(diào)節(jié)的用于替代齊納管的穩(wěn)壓電路。
為達到上述目的,本實用新型的技術方案如下: 一種用于替代齊納管的穩(wěn)壓電路,包括比較器、分壓電阻網(wǎng)絡、泄放通路和信號選擇開關;所述比較器由第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2),第一NMOS管(MN1),第二NMOS管(MN2)和電阻(R0)組成;所述分壓電阻網(wǎng)絡由第一電阻(R1),第二電阻(R2)和第三電阻(R3)組成;所述泄放通路包括第三PMOS管(MP3)和第三NMOS管(MN3);所述信號選擇開關有第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)和反向器(INV);所述第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)構(gòu)成電流鏡,第一PMOS管(MP1)的柵極和漏極互連并連接第二PMOS管(MP2)的柵極和第一NMOS管(MN1)的漏極,第一PMOS管 (MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)的源極相連,第二PMOS管(MP2)的漏極連接第二NMOS管(MN2)的漏極和第三NMOS管(MN3)的柵極;所述第三PMOS管(MP3)的柵極接地,漏極和第三NMOS管(MN3)的漏極相連;所述第三NMOS管(MN3)的源極接地;所述第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的源極通過電阻(R0)接地;所述第二NMOS管(MN2)的柵極與第四NMOS管MN4和第五NMOS管MN5的源端連接;所述第一PMOS管(MP1)的源極直接接電源,第二電阻(R2) 和第三電阻(R3)的串聯(lián)點接第一NMOS管(MN1)的柵極;所述第四NMOS管(MN4)的漏極接第一電阻(R1) 和第二電阻(R2)的串聯(lián)點,柵極接控制信號(UVLO);所述第五NMOS管(MN5)的漏極接參考電壓(VREF),柵極接反相器(INV)的輸出端;所述第一PMOS管(MP1)的源極接內(nèi)部電源電壓(VDD)。
本實用新型采用與主電路相兼容的CMOS工藝,不會增加額外的層次,只是通過檢測電源電壓,通過比較器與參考電壓進行比較,比較器的輸出控制泄放通路,當電源電壓超過設定的穩(wěn)定電壓時,泄放通路打開,該模塊起作用,實現(xiàn)齊納管相同的穩(wěn)壓功能。
本實用新型沒有運用特殊器件,結(jié)構(gòu)簡單,成本低,易于實現(xiàn),穩(wěn)壓值精確度高,且可以調(diào)節(jié),具有很強的經(jīng)濟性和實用性,適用于電源內(nèi)部需要穩(wěn)壓的芯片產(chǎn)品。
附圖說明
圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本實用新型的仿真波形圖,圖3是采用傳統(tǒng)齊納管的仿真波形圖。
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