[實用新型]一種用于替代齊納管的穩壓電路

有效

• 申請號: 201820043812.8
• 申請日: 2018-01-11
• 公開（公告）號: CN207704303U
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 李河清;陳利;姜帆;劉玉山
• 申請（專利權）人: 廈門安斯通微電子技術有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于替代齊納管的穩壓電路，其特征在于：包括比較器、分壓電阻網絡、泄放通路和信號選擇開關；所述比較器由第一PMOS管（MP1）、第二PMOS管（MP2），第一NMOS管（MN1），第二NMOS管（MN2）和電阻（R0）組成；所述分壓電阻網絡由第一電阻（R1），第二電阻（R2）和第三電阻（R3）組成；所述泄放通路包括第三PMOS管（MP3）和第三NMOS管（MN3）；所述信號選擇開關有第四NMOS管（MN4）、第五NMOS管（MN5）和反向器（INV）；

所述第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)構成電流鏡，第一PMOS管(MP1)的柵極和漏極互連并連接第二PMOS管(MP2)的柵極和第一NMOS管（MN1）的漏極，第一PMOS管 (MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)的源極相連，第二PMOS管(MP2)的漏極連接第二NMOS管（MN2）的漏極和第三NMOS管（MN3）的柵極；

所述第三PMOS管（MP3）的柵極接地，漏極和第三NMOS管（MN3）的漏極相連；所述第三NMOS管（MN3）的源極接地；所述第一NMOS管（MN1）和第二NMOS管（MN2）的源極通過電阻（R0）接地；所述第二NMOS管（MN2）的柵極與第四NMOS管MN4和第五NMOS管MN5的源端連接；所述第一PMOS管（MP1）的源極直接接電源，第二電阻(R2) 和第三電阻（R3）的串聯點接第一NMOS管（MN1）的柵極；

所述第四NMOS管（MN4）的漏極接第一電阻(R1) 和第二電阻（R2）的串聯點，柵極接控制信號（UVLO）；所述第五NMOS管（MN5）的漏極接參考電壓（VREF），柵極接反相器（INV）的輸出端；

所述第一PMOS管（MP1）的源極接內部電源電壓（VDD）。