[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201820037879.0 | 申請日: | 2018-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN207752974U | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發明(設計)人: | 林圣翔 | 申請(專利權)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 旋轉臺 氣體通道 基板處理裝置 保護氣體 氣體供應單元 抽氣單元 負壓狀態 基板保持 基板承載 連接通道 吹出 基板 環繞 | ||
本揭示提供一種基板處理裝置,包含:一旋轉臺,其內部包含一第一氣體通道和一第二氣體通道;一抽氣單元,與所述旋轉臺連接,用于使所述第一氣體通道內保持在一負壓狀態,進而將所述基板保持在所述旋轉臺上;以及一氣體供應單元,與所述旋轉臺連接,用于供應一保護氣體,其中所述保護氣體通過所述第二連接通道吹出在所述基板上并環繞所述旋轉臺的基板承載部。
技術領域
本揭示涉及一種基板處理裝置,特別是涉及一種具有雙氣源管路的基板處理裝置。
背景技術
在傳統的單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中,為了避免噴灑在基板上的蝕刻液體流至基板背(底)面而造成真空吸盤的污染以及破壞其真空吸取的能力。目前業界是采用在單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置旁另增設一個固定式的噴氣裝置,其是以朝向基板背面噴氣的方式將流至基板背面的液體吹落。然而,此類型的噴氣裝置無法與旋轉的基板同步旋轉作動,如此難以達到全面性的保護。
然而,倘若要將上述的噴氣裝置整合在傳統的單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中以使得噴氣裝置能與基板同步旋轉作動則存在一定的困難。舉例來說,在傳統的單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中,為了以真空吸取的方式將基板保持在旋轉臺上,通常會在旋轉臺內組裝氣體管路,以發揮真空吸取功能。此類型的裝置由于內部僅需安裝一條氣體管路,故只需通過將氣體管路牽引至轉軸中心或者是搭配特殊接頭設計,即可避免旋轉臺旋轉時造成氣體管路繞曲的問題。然而,當單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中配置兩條以上的氣體管路時,裝設在旋轉臺內部的兩條氣體管路存在隨著旋轉臺的轉動而彼此纏繞在一起的風險。
有鑒于此,有必要提出一種具有雙氣源管路的基板處理裝置,以解決現有技術中存在的問題。
實用新型內容
為解決上述現有技術的問題,本揭示的目的在于提供一種具有雙氣源管路的基板處理裝置,其可有效地解決現有技術中因兩條氣體管路會隨著旋轉臺的轉動而彼此纏繞在一起的問題。
為達成上述目的,本揭示提供一種基板處理裝置,包含:一旋轉臺,用于保持一基板,并且可繞著一中央軸旋轉,所述旋轉臺內部包含一第一氣體通道和一第二氣體通道,其中所述第一氣體通道的一端位在所述旋轉臺的基板承載部,且另一端位在旋轉臺的第一位置,以及所述第二氣體通道的一端位在所述旋轉臺的所述基板承載部,且另一端位在旋轉臺的第二位置;一抽氣單元,與所述旋轉臺的所述第一位置連接,用于使所述第一氣體通道內保持在一負壓狀態,進而將所述基板保持在所述旋轉臺上;以及一氣體供應單元,與所述旋轉臺的所述第二位置連接,用于供應一保護氣體,其中所述保護氣體通過所述第二連接通道吹送至所述基板背面上,所述保護氣體用于防止施加在所述基板上的處理流體沿所述基板的背面流至所述基板承載部。
在本揭示其中之一優選實施例當中,所述抽氣單元包含:一第一軸封,環繞且包覆住所述旋轉臺的所述第一位置,包含一第一連接通道;一第一氣室,設置在所述第一軸封與所述旋轉臺之間,并且和所述第一氣體通道連通;以及一抽氣設備,與所述第一軸封的所述第一連接通道連接,用于將所述第一連接通道、所述第一氣室和所述第一氣體通道內的氣體抽出。
在本揭示其中之一優選實施例當中,所述氣體供應單元包含:一第二軸封,環繞且包覆住所述旋轉臺的所述第二位置,包含一第二連接通道;一第二氣室,并且和所述第二氣體通道連通,設置在所述第二軸封與所述旋轉臺之間;以及一氣體供應設備,與所述第二連接通道連接,用于在所述第二連接通道、所述第二氣室和所述第二氣體通道內注入所述保護氣體。
在本揭示其中之一優選實施例當中,當所述旋轉臺旋轉時,所述抽氣單元與所述氣體供應單元保持固定不轉動。
在本揭示其中之一優選實施例當中,基板處理裝置還包含一氣體分流環,環繞地設置在所述基板承載部周圍,用于將所述氣體供應單元供應的所述保護氣體分流至多個出氣通道,并且所述保護氣體通過所述多個出氣通道送至所述基板背面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





