[實用新型]紋波抑制器電路有效
| 申請號: | 201820028683.5 | 申請日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN208590131U | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 金鎮兌;嚴炫喆;樸仁琪;李應佑 | 申請(專利權)人: | 快捷韓國半導體有限公司 |
| 主分類號: | H05B33/08 | 分類號: | H05B33/08 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 高文靜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紋波電壓 本實用新型 自適應 檢測器 紋波抑制器 參考電壓 偏移電壓 輸入節點 晶體管 紋波 電路 配置 偏移發生器 輸出電容器 線性穩壓器 飽和電壓 功率耗散 功率損耗 技術效果 輸出節點 信號生成 自動優化 自動地 最小化 飽和 | ||
本實用新型涉及紋波抑制器電路。它包括紋波檢測器,連接至輸出電容器并配置為生成紋波電壓;自適應偏移發生器,連接至紋波檢測器以接收紋波電壓,配置為由紋波電壓以及MOS晶體管的第一端子上的信號生成自適應偏移電壓;以及線性穩壓器,具有連接到MOS晶體管的第二端子的輸出節點、連接到MOS晶體管的第一端子的第一輸入節點以及接收由紋波電壓以及自適應偏移電壓生成的控制參考電壓的第二輸入節點,配置成根據控制參考電壓來調節經調節的電流。本實用新型解決的一個技術問題是防止由于自動優化晶體管的飽和電壓的困難而導致嚴重的功率損耗。本實用新型實現的一個技術效果是自動地使來自晶體管的飽和工作的功率耗散最小化。
本申請是申請日為2017年1月24日、申請號為201720104035.9,發明名稱為“發光二極管照明電路”的實用新型專利申請的分案申請。
相關申請的交叉引用
本申請要求2016年1月26日提交的美國臨時申請No.62/287,081的權益,該申請全文以引用方式并入本文。
技術領域
本實用新型整體涉及電子電路,更具體地但非排他性地涉及紋波抑制器。
背景技術
顧名思義,紋波抑制器是用于抑制信號的紋波的電路。在發光二極管 (LED)照明電路中,紋波抑制器用于抑制流過LED陣列的LED電流的紋波。紋波抑制器可包括線性穩壓器,該線性穩壓器感測來自感測電阻器的 LED電流,并且驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)以調節 LED電流并使之平滑。該紋波抑制器拓撲結構的問題在于感測電阻器增加了LED照明電路的功率損耗。另一種紋波抑制器拓撲結構包括驅動雙極性結型晶體管(BJT)而非MOSFET的線性穩壓器。BJT不需要感測電阻器,但因BJT在有源區中的集電極至發射極電壓而具有嚴重的功率損耗,原因在于自動優化BJT的飽和電壓相對較困難。
實用新型內容
在一個實施方案中,紋波抑制器電路包括紋波檢測器,所述紋波檢測器被連接至輸出電容器,所述紋波檢測器被配置為生成指示紋波電流的紋波電壓;紋波抑制器電路還包括自適應偏移發生器,所述自適應偏移發生器被連接至所述紋波檢測器以接收紋波電壓,所述自適應偏移發生器被配置為由所述紋波電壓以及金屬氧化物半導體MOS晶體管的第一端子上的信號生成自適應偏移電壓;紋波抑制器電路還包括線性穩壓器,所述線性穩壓器具有連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的第二端子的輸出節點、連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述第一端子的第一輸入節點以及接收由所述紋波電壓以及所述自適應偏移電壓生成的控制參考電壓的第二輸入節點,所述線性穩壓器被配置成根據所述控制參考電壓來調節經調節的電流。
在一個實施方案中,所述經調節的電流流過發光二極管LED陣列。
在一個實施方案中,所述紋波檢測器包括高通濾波器,所述高通濾波器在輸出電容器處接收輸出電壓。
在一個實施方案中,所述紋波檢測器還包括電阻器,所述電阻器具有第一端和第二端,所述電阻器的第一端連接至高通濾波器及二極管,其中在電阻器的第一端處生成所述紋波電壓。
在一個實施方案中,所述線性穩壓器包括第一放大器,所述第一放大器具有連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的漏極的所述第一輸入節點、接收所述控制參考電壓的所述第二輸入節點以及連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的柵極的所述輸出節點。
在一個實施方案中,所述紋波檢測器包括最小值檢測器,所述最小值檢測器在所述輸出電容器處檢測輸出電壓的最小值;以及減法器,所述減法器從所述輸出電壓減去所述輸出電壓的所述最小值。
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