[實用新型]紋波抑制器電路

有效

• 申請號: 201820028683.5
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN208590131U
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 金鎮兌;嚴炫喆;樸仁琪;李應佑
• 申請（專利權）人: 快捷韓國半導體有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高文靜

1.一種紋波抑制器電路，其特征在于，包括：

紋波檢測器，所述紋波檢測器被連接至輸出電容器，所述紋波檢測器被配置為生成指示紋波電流的紋波電壓；

自適應偏移發生器，所述自適應偏移發生器被連接至所述紋波檢測器以接收紋波電壓，所述自適應偏移發生器被配置為由所述紋波電壓以及金屬氧化物半導體MOS晶體管的第一端子上的信號生成自適應偏移電壓；以及

線性穩壓器，所述線性穩壓器具有連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的第二端子的輸出節點、連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述第一端子的第一輸入節點以及接收由所述紋波電壓以及所述自適應偏移電壓生成的控制參考電壓的第二輸入節點，所述線性穩壓器被配置成根據所述控制參考電壓來調節經調節的電流。

2.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述經調節的電流流過發光二極管LED陣列。

3.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述紋波檢測器包括高通濾波器，所述高通濾波器在輸出電容器處接收輸出電壓。

4.根據權利要求3所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述紋波檢測器還包括：

電阻器，所述電阻器具有第一端和第二端，所述電阻器的第一端連接至高通濾波器及二極管，其中在電阻器的第一端處生成所述紋波電壓。

5.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述線性穩壓器包括第一放大器，所述第一放大器具有連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的漏極的所述第一輸入節點、接收所述控制參考電壓的所述第二輸入節點以及連接到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的柵極的所述輸出節點。

6.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述紋波檢測器包括：

最小值檢測器，所述最小值檢測器在所述輸出電容器處檢測輸出電壓的最小值；以及

減法器，所述減法器從所述輸出電壓減去所述輸出電壓的所述最小值。

7.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述自適應偏移發生器包括：

第一峰值檢測器，所述第一峰值檢測器檢測所述紋波電壓的峰值；

第二峰值檢測器，所述第二峰值檢測器檢測所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的漏極至源極電壓的峰值；

加法器，所述加法器將所述紋波電壓加到所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述漏極至源極電壓的所述峰值與所述紋波電壓的所述峰值之間的差值，以生成參考同步電壓；以及

放大器，所述放大器接收所述參考同步電壓和所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述漏極至源極電壓，以生成所述自適應偏移電壓。

8.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述自適應偏移發生器包括：

第一低通濾波器，所述第一低通濾波器過濾所述紋波電壓以生成所述紋波電壓的平均值；

第二低通濾波器，所述第二低通濾波器過濾所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的漏極至源極電壓以生成所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述漏極至源極電壓的平均值；

減法器，所述減法器生成所述紋波電壓的所述平均值與所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述漏極至源極電壓的所述平均值之間的差值；

加法器，所述加法器將所述紋波電壓加到所述紋波電壓的所述平均值與所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述漏極至源極電壓的所述平均值之間的差值，以生成參考同步電壓；以及

放大器，所述放大器從所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的所述漏極至源極電壓減去所述參考同步電壓，以生成所述自適應偏移電壓。

9.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述自適應偏移發生器基于所述紋波電壓與所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的漏極至源極電壓之間的差值來生成所述自適應偏移電壓。

10.根據權利要求1所述的紋波抑制器電路，其特征在于，其中所述自適應偏移發生器基于所述金屬氧化物半導體MOS晶體管的漏極至源極電壓的峰值與所述紋波電壓的峰值之間的差值來生成所述自適應偏移電壓。