[實用新型]一種高可靠性LED芯片

有效

• 申請號: 201820023231.8
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN207925512U
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 徐亮
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本實用新型公開了一種高可靠性LED芯片，包括；襯底、發光結構、第一金屬層、第二金屬層、凹槽、第二絕緣層、阻絕層、第一焊料層和第和焊料層，其中，所述溝槽設于第一金屬層和第二金屬層之間。本申請通過在芯片的表面形成貫穿整個芯片的溝槽，從而使芯片在共晶焊接之后，通過清洗液來清洗助焊劑，并將助焊劑殘留物去除。具體的，清洗液通所述溝槽可以充分浸潤和清洗第一焊料層(相對與第一電極)和第二焊料層(相對與第二電極)之間的區域，從而防止助焊劑殘留物將第一焊料層和第二焊料層之間形成導電連接，進而防止芯片漏電，提高芯片在封裝應用時的可靠性。

技術領域

本實用新型涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種高可靠性LED芯片。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。

傳統LED芯片一般為藍寶石襯底，具有散熱性能較差，容易發生漏電，光衰嚴重，電壓高等問題，嚴重影響LED芯片的可靠性能。

倒裝LED芯片和傳統LED芯片相比，具有發光效率高、電流分布均勻、散熱好、電壓降低、效率高等優點。

現有的倒裝LED芯片在進行共晶焊接固晶時，需要利用助焊劑來進行輔助焊接，從而保證焊接工藝的穩定性，降低空洞率。但是，助焊劑含有有機酸類和鹵素等的雜質，容易導致其殘留物絕緣阻抗降低而漏電，此外，助焊劑的殘留物在高溫高濕的環境下會吸收空氣中的水份，從而改變殘留物本身的分子結構而引起導電。現有的倒裝LED芯片只是采用簡單的平面電極結構設計，往往導致在焊接封裝后PN電極之間存在殘留的助焊劑而導致芯片漏電。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種高可靠性LED芯片，防止助焊劑殘留在芯片的電極上，避免芯片漏電，提高芯片封裝的可靠性。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種高可靠性LED芯片，包括；

襯底；

設于所述襯底表面的發光結構，所述發光結構包括依次設于所述襯底表面的第一半導體層、有源層、第二半導體層、金屬反射層和第一絕緣層；

設于第一絕緣層表面并延伸至第一半導體層的第一金屬層，設于第一絕緣層表面并延伸至金屬反射層的第二金屬層，所述第一金屬層和第二金屬層之間相互絕緣；

貫穿第一絕緣層并設置在第一金屬層和第二金屬層之間的凹槽；

依次設于第一絕緣層表面和凹槽上的第二絕緣層和阻絕層；

設于阻絕層表面并延伸至第一金屬的第一焊料層，設于阻絕層表面并延伸至第二金屬的第二焊料層，且所述第一焊料層與所述第二焊料層之間相互絕緣。

作為上述方案的改進，所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設有兩條溝槽，且兩條溝槽之間設有金屬層。

作為上述方案的改進，所述第一金屬層與所述第一半導體層導電連接，所述第二金屬層與所述第二半導體層導電連接。

作為上述方案的改進，所述第一焊料層與所述第一金屬層導電連接，所述第二焊料層與所述第二金屬層導電連接。

作為上述方案的改進，所述阻絕層的材質為SiO₂、SiN和聚酰亞胺中的一種。

作為上述方案的改進，所述阻絕層為類金剛石薄膜。

作為上述方案的改進，所述金屬反射層的材質為ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ni和Ti中的一種。