[實用新型]用于高壓功率器件的散熱裝置及功率模塊

有效

• 申請號: 201820006113.6
• 申請日: 2018-01-03
• 公開（公告）號: CN207664042U
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 沈國橋;鄭群波;王新星;章進法
• 申請（專利權）人: 臺達電子企業管理（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/32;H01L25/07
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;李巖

本實用新型公開了一種用于高壓功率器件的散熱裝置及功率模塊，散熱裝置包含：基板、絕緣導熱層、陶瓷基片及彈片；陶瓷基片裝設于基板上，功率器件設置于陶瓷基片上；彈片將高壓功率器件固定于陶瓷基片上；彈片包含：連接部及抵壓部；連接部鎖固于基板上；抵壓部的一端連接于連接部，抵壓部的另一端壓緊高壓功率器件于陶瓷基片上；絕緣導熱層設置于基板與陶瓷基片之間及陶瓷基片與高壓功率器件之間，進而提高高壓功率器件、陶瓷基片及基板之間的導熱能力，以及提供三者之間的絕緣。

技術領域

本實用新型涉及高壓功率模塊的絕緣和導熱的技術領域，尤其是涉及一種用于高壓功率器件的散熱裝置及功率模塊。

背景技術

隨著高鐵、地鐵和城際鐵路等鐵路行業的高速發展，客戶對功率器件的使用也提出更高的要求，例如要求功率器件的額定電壓達到1000V，那么其對應的高壓絕緣需要達到5.6kV/min，遠高于普通模塊的絕緣耐壓要求。此外高壓場合中，功率器件包括MOSFET、IGBT、SIC、DIODE器件等，并且單個功率器件的功耗非常高，需要及時有效的將熱導出；同時由于電源產品需要滿足IP5X的標準，沒有辦法對高壓功率模塊的散熱器進行直接風冷散熱，因此急需開發一種具有高導熱及高絕緣的散熱裝置。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種用于高壓功率器件的散熱裝置，其中，包含：

基板；

陶瓷基片，裝設于所述基板上，所述高壓功率器件裝設于所述陶瓷基片上；

絕緣導熱層，設置于所述基板與所述陶瓷基片之間及所述陶瓷基片與所述高壓功率器件之間；

彈片，所述彈片包含：

連接部，鎖固于所述基板上；

抵壓部，其一端連接于所述連接部，所述抵壓部的另一端壓緊所述高

壓功率器件于所述陶瓷基片上。

上述的散熱裝置，其中，所述絕緣導熱層的體積電阻率為10¹²ohm·cm以上。

上述的散熱裝置，其中，包含第一熱縮管，包覆于所述彈片的抵壓部。

上述的散熱裝置，其中，還包含第二熱縮管，包覆于所述第一熱縮管。

上述的散熱裝置，其中，所述彈片為Z型彈片，所述抵壓部呈L形。

上述的散熱裝置，其中，裝設于所述陶瓷基片上的所述高壓功率器件的邊緣與所述陶瓷基片的邊緣具有第一絕緣間隔。

上述的散熱裝置，其中，所述第一絕緣間隔不小于10mm。

上述的散熱裝置，其中，裝設于所述陶瓷基片上的所述高壓功率器件的管腳與所述陶瓷基片的邊緣具有第二絕緣間隔。

上述的散熱裝置，其中，所述第二絕緣間隔不小于7mm。

本實用新型還提供一種功率模塊，其中，包含：

至少一高壓功率器件；及

上述中任一項所述的散熱裝置，所述至少一高壓功率器件裝設于所述散熱裝置上。

上述的功率模塊，其中，所述高壓功率器件為MOSFET、IGBT、SIC、DIODE中的至少一者。

本實用新型針對于現有技術其功效在于：通過本實用新型的散熱裝置提高高壓功率器件的耐壓，降低了高壓功率器件之間的爬電距離，提高了高壓功率器件的導熱性能，降低了產品的整體尺寸，提高了產品功率密度。

附圖說明

圖1是本實用新型功率模塊第一實施例未安裝熱縮管的結構示意圖；