[實(shí)用新型]用于高壓功率器件的散熱裝置及功率模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820006113.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207664042U | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈國橋;鄭群波;王新星;章進(jìn)法 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)達(dá)電子企業(yè)管理(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/367 | 分類號(hào): | H01L23/367;H01L23/32;H01L25/07 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;李巖 |
| 地址: | 201209 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷基片 高壓功率器件 基板 散熱裝置 抵壓部 彈片 絕緣導(dǎo)熱層 功率模塊 本實(shí)用新型 導(dǎo)熱能力 功率器件 一端連接 鎖固 壓緊 裝設(shè) 絕緣 | ||
1.一種用于高壓功率器件的散熱裝置,其特征在于,包含:
基板;
陶瓷基片,裝設(shè)于所述基板上,所述高壓功率器件裝設(shè)于所述陶瓷基片上;
絕緣導(dǎo)熱層,設(shè)置于所述基板與所述陶瓷基片之間及所述陶瓷基片與所述高壓功率器件之間;
彈片,所述彈片包含:
連接部,鎖固于所述基板上;
抵壓部,其一端連接于所述連接部,所述抵壓部的另一端壓緊所述高壓功率器件于所述陶瓷基片上。
2.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述絕緣導(dǎo)熱層的體積電阻率為1012ohm·cm以上。
3.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,包含第一熱縮管,包覆于所述彈片的抵壓部。
4.如權(quán)利要求3所述的散熱裝置,其特征在于,還包含第二熱縮管,包覆于所述第一熱縮管。
5.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,所述彈片為Z型彈片,所述抵壓部呈L形。
6.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,裝設(shè)于所述陶瓷基片上的所述高壓功率器件的邊緣與所述陶瓷基片的邊緣具有第一絕緣間隔。
7.如權(quán)利要求6所述的散熱裝置,其特征在于,所述第一絕緣間隔不小于10mm。
8.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置,其特征在于,裝設(shè)于所述陶瓷基片上的所述高壓功率器件的管腳與所述陶瓷基片的邊緣具有第二絕緣間隔。
9.如權(quán)利要求8所述的散熱裝置,其特征在于,所述第二絕緣間隔不小于7mm。
10.一種功率模塊,其特征在于,包含:
至少一高壓功率器件;及
上述權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的散熱裝置,所述至少一高壓功率器件裝設(shè)于所述散熱裝置上。
11.如權(quán)利要求10所述的功率模塊,其特征在于,所述高壓功率器件為MOSFET、IGBT、SIC、DIODE中的至少一者。
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