[實用新型]一種暗場掩模板

有效

• 申請號: 201820003634.6
• 申請日: 2018-01-02
• 公開（公告）號: CN207992678U
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 于江勇;廖翌如;趙磊;劉園園
• 申請（專利權）人: 北京宇翔電子有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張雪梅

本實用新型公開一種暗場掩模板，該暗場掩模板包括：觀察區、粗對準區和精確對準區，其中，觀察區內部被切割出矩形的圖形區，用于透過其觀察待光刻晶圓上的圖形，并用于尋找待光刻晶圓上的用于粗對準的標識和用于精確對準的標識；粗對準區，包括用于粗對準的圖形，用于粗對準的圖形布置為與待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識相對應；以及精確對準區，包括用于精確對準的圖形，用于精確對準的圖形布置為與待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識相對應。

技術領域

本實用新型涉及微電子工藝領域。更具體地，涉及一種暗場掩模板。

背景技術

在微電子工藝領域中，通常按照感光材料的不同可以將掩模板分為亮場掩模板和暗場掩模板，亮場掩模板上的圖形由不透光區域組成，掩模板大部分區域透光，而暗場掩模板上的圖形由透光區域組成，所以掩模板大部分區域被鉻層覆蓋，而鉻層是不透光的，這就容易造成光刻人員在看掩模板光刻時視野很小，無法看清硅片上的圖形，從而大大降低了光刻對準效率和精準度，最終導致器件的成品率減小。

在特征尺寸小的情況下，由于暗場掩模板光刻比較困難。圖1為現有的光刻對準標記，即一次性通過十字形的對準標記來對準掩模板與晶圓，這種方法雖然可以實現光刻對準，但是對于窄線條暗場掩模板來說，透光區域很小，所以光刻員透過掩模板看到的晶圓片上的區域很小，在晶圓片上找到已做好的十字標記是非常耗時耗力的，而且即使找到也很難精確對準。該對準方法使得光刻生產效率低下，嚴重影響產率。

因此，需要提供一種高效實現精確對準的暗場掩模板。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種能夠解決較小尺寸暗場掩模板光刻時的對準問題的暗場掩模板。

為達到上述目的，本實用新型采用下述技術方案：

一種暗場掩模板，該掩模板包括：

觀察區，布置為鏤空狀，用于透過其觀察待光刻晶圓上的圖形，并用于尋找待光刻晶圓上的用于粗對準的標識和用于精確對準的標識；

粗對準區，包括用于粗對準的圖形，用于粗對準的圖形布置為與待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識相對應；以及

精確對準區，包括用于精確對準的圖形，用于精確對準的圖形布置為與待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識相對應。

可選地，待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識為其它已用于光刻的版圖層版號標識，待光刻晶圓上用于精確對準的標識為其它幾次光刻時分別形成的十字標記。

可選地，粗對準區中的用于粗對準的圖形為鏤空的，當進行粗對準時，粗對準區中用于粗對準的圖形套在待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識上。

可選地，精確對準區中用于精確對準的圖形為凸狀，當用于精確對準時，精確對準區中的用于精確對準的圖形放于待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識中。

可選地，粗對準區中的用于粗對準的圖形為凸狀，當進行粗對準時，粗對準區中用于粗對準的圖形放于待刻晶圓上的、用于粗對準的標識中。

可選地，精確對準區中的用于精確對準的圖形為鏤空的，當進行精確對準時，精確對準區中用于精確對準的圖形套在待刻晶圓上的、用于精確對準的標識中。

可選地，當進行精確對準后，精確對準區中包括的與待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識相對應的圖形距離待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識1至2μm。

本實用新型的有益效果如下：

本實用新型所述技術方案能夠在使用暗場掩模板進行光刻時，快速找到進行掩模板與晶圓對準的標識，并完成高效精確的對準。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細的說明：