[實用新型]一種暗場掩模板有效
| 申請號： | 201820003634.6 | 申請日： | 2018-01-02 |
| 公開（公告）號： | CN207992678U | 公開（公告）日： | 2018-10-19 |
| 發明（設計）人： | 于江勇;廖翌如;趙磊;劉園園 | 申請（專利權）人： | 北京宇翔電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/42 | 分類號： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 粗對準 光刻 晶圓 對準 掩模板 暗場 圖形布置 對準區 觀察區 本實用新型 圖形區 切割 觀察 | ||
1.一種暗場掩模板，其特征在于，所述掩模板包括：
觀察區，布置為鏤空狀，用于透過其觀察待光刻晶圓上的圖形，并用于尋找所述待光刻晶圓上的用于粗對準的標識和用于精確對準的標識；
粗對準區，包括用于粗對準的圖形，所述用于粗對準的圖形布置為與所述待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識相對應；以及
精確對準區，包括用于精確對準的圖形，所述用于精確對準的圖形布置為與所述待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識相對應。
2.如權利要求1所述的暗場掩模板，其特征在于，
所述待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識為其它已用于光刻的版圖層的版號標識，所述待光刻晶圓上用于精確對準的標識為其它幾次光刻時分別形成的十字標記。
3.如權利要求1或2所述的暗場掩模板，其特征在于，
所述粗對準區中的所述用于粗對準的圖形為鏤空的，當進行粗對準時，所述粗對準區中用于粗對準的圖形套在所述待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識上。
4.如權利要求3所述的暗場掩模板，其特征在于，
所述精確對準區中所述用于精確對準的圖形為凸狀，當用于精確對準時，所述精確對準區中的所述用于精確對準的圖形放于所述待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識中。
5.如權利要求1或2所述的暗場掩模板，其特征在于，
所述粗對準區中的用于粗對準的圖形為凸狀，當進行粗對準時，所述粗對準區中用于粗對準的圖形放于所述待光刻晶圓上的、用于粗對準的標識中。
6.如權利要求5所述的暗場掩模板，其特征在于，
所述精確對準區中的用于精確對準的圖形為鏤空的，當進行精確對準時，所述精確對準區中用于精確對準的圖形套在所述待刻晶圓上的、用于精確對準的標識中。
7.如權利要求1、4或6所述的暗場掩模板，其特征在于，
當進行精確對準后，所述精確對準區中所述包括的與所述待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識相對應的圖形距離所述待光刻晶圓上的、用于精確對準的標識1至2μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京宇翔電子有限公司，未經北京宇翔電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820003634.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
