[發(fā)明專利]一種非直接電接觸式的發(fā)光二極管器件的電致發(fā)光量測方法

在審

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• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109765472A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 顧偉
• 申請（專利權(quán)）人: 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種非直接電接觸式的發(fā)光二極管器件的電致發(fā)光量測方法，包括如下步驟：步驟S1、將所述發(fā)光二極管器件置于量測系統(tǒng)的所述基板上，且將所述發(fā)光二極管器件的一極性電極和所述基板上的接觸電極的電性相連接；步驟S2、將所述發(fā)光二極管器件的另一極性電極和量測系統(tǒng)的所述非直接電接觸式電極的電性相連接；步驟S3、將所述非直接電接觸式電極連接電源，提供電子或電流進(jìn)入所述發(fā)光二極管器件導(dǎo)致電致發(fā)光時，使用所述光探測器記錄電致發(fā)光的量測結(jié)果。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：采用帶電粒子產(chǎn)生器或場板電極分別通過真空或?qū)щ娙芤合蛩霭l(fā)光二極管器件注入電子或電流，實(shí)現(xiàn)所述發(fā)光二極管器件電致發(fā)光的量測，一方面可同時進(jìn)行兩個以上發(fā)光二極管器件電致發(fā)光的量測，另一方面不使用探針，降低量測的成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種非直接電接觸式的發(fā)光二極管器件的電致發(fā)光量測方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（light emitting diode，LED）作為一種高效的發(fā)光源，具有環(huán)保、省電、壽命長、穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)被廣泛的運(yùn)用于標(biāo)牌、交通信號燈、汽車尾燈、照明以及顯示等各種領(lǐng)域。近年來，應(yīng)用于高清顯示領(lǐng)域的微尺寸發(fā)光二極管更是蓬勃的發(fā)展。

發(fā)光二極管屬于半導(dǎo)體器件，在結(jié)構(gòu)上主要包括p型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和n型半導(dǎo)體層，其發(fā)光原理是：在發(fā)光二極管的p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層上施加電壓，空穴和電子分別從p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層注入到發(fā)光層，并在發(fā)光層中進(jìn)行復(fù)合產(chǎn)生光，從而將電能轉(zhuǎn)換為光能。

通常發(fā)光二極管在生產(chǎn)完成后，會對發(fā)光二極管的光電特性進(jìn)行量測以確認(rèn)發(fā)光二極管的品質(zhì)。目前，發(fā)光二極管主要采用探針直接接觸式的量測方法進(jìn)行光電特性的測試，即通過探針分別直接接觸到發(fā)光二極管的p型電極和n型電極來向發(fā)光二極管施加電壓或電流以進(jìn)行量測。然而目前這種探針直接接觸式的量測方法存在諸多弊端，首先，量測速度慢，探針直接接觸式的量測方法需要逐顆對發(fā)光二極管進(jìn)行測試。隨著發(fā)光二極管的微縮化，微尺寸的發(fā)光二極管所需要的量測時間變長，使目前探針直接接觸式的量測方法無法達(dá)到量產(chǎn)的需求。其次，探針直接接觸式的量測方法會對發(fā)光二極管的電極造成一定的刮擦，而影響發(fā)光二極管的良率和可靠性。尤其對于微尺寸的發(fā)光二極管而言，因?yàn)槠潆姌O的面積更小，所需探針的針尖要求和采購成本更高，使目前探針直接接觸式的量測方法無法滿足測試的需求。綜上所述，目前所采用的探針直接接觸式的量測方法由于效率低、成本高，已經(jīng)越來越不符合當(dāng)前發(fā)光二極管、特別是微尺寸發(fā)光二極管的生產(chǎn)需求。

發(fā)明內(nèi)容

（一）解決的技術(shù)問題

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種非直接電接觸式的發(fā)光二極管器件的電致發(fā)光量測方法，以解決現(xiàn)有的發(fā)光二極管器件電致發(fā)光量測方法效率低、成本高的問題，同時特別適合于解決微尺寸發(fā)光二極管器件的電致發(fā)光量測的需求。

（二）技術(shù)方案

為實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種非直接電接觸式的發(fā)光二極管器件的電致發(fā)光量測方法，包括量測系統(tǒng)和發(fā)光二極管器件，量測系統(tǒng)包括基板、光探測器和非直接電接觸式電極，所述基板上設(shè)置有接觸電極；

發(fā)光二極管器件包括第一極性電極、第一極性半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二極性半導(dǎo)體層和第二極性電極，所述發(fā)光層位于第一極性半導(dǎo)體層和第二極性半導(dǎo)體層之中，所述第一極性半導(dǎo)體層和第二極性半導(dǎo)體層的極性不同，所述第一極性電極設(shè)置在第一極性半導(dǎo)體層上，所述第二極性電極設(shè)置在第二極性半導(dǎo)體層上；

所述方法包括以下步驟：

步驟S1、將所述發(fā)光二極管器件置于量測系統(tǒng)的所述基板上，且所述發(fā)光二極管器件的第一極性電極和所述基板上設(shè)置的接觸電極的電性相連接；

步驟S2、將所述發(fā)光二極管器件的第二極性電極和量測系統(tǒng)的所述非直接電接觸式電極的電性相連接，且所述第一極性電極與所述接觸電極，和所述第二極性電極與所述非直接電接觸式電極之間電性絕緣；