[發明專利]一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法

在審

• 申請號: 201811643815.6
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109765472A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 顧偉
• 申請（專利權）人: 江西兆馳半導體有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，包括量測系統和發光二極管器件，其特征在于：所述量測系統包括基板、光探測器和非直接電接觸式電極，所述基板上設置有接觸電極；

所述發光二極管器件包括第一極性電極、第一極性半導體層、發光層、第二極性半導體層和第二極性電極，所述發光層位于第一極性半導體層和第二極性半導體層之中，所述第一極性半導體層和第二極性半導體層的極性不同，所述第一極性電極設置在第一極性半導體層上，所述第二極性電極設置在第二極性半導體層上；

所述方法包括以下步驟：

步驟S1、將所述發光二極管器件置于量測系統的所述基板上，且所述發光二極管器件的第一極性電極和所述基板上設置的接觸電極的電性相連接；

步驟S2、將所述發光二極管器件的第二極性電極和量測系統的所述非直接電接觸式電極的電性相連接，且所述第一極性電極與所述接觸電極，和所述第二極性電極與所述非直接電接觸式電極之間電性絕緣；

步驟S3、將所述非直接電接觸式電極連接電源，提供電子或電流進入所述發光二極管器件導致電致發光時，使用所述光探測器記錄電致發光的量測結果，完成所述發光二極管器件電致發光的量測。

2.根據權利要求1所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述非直接電接觸式電極可通過帶電粒子或導電溶液向所述發光二極管器件注入電子或電流。

3.根據權利要求1所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述非直接電接觸式電極為帶電粒子產生器，帶電粒子產生器和所述發光二極管器件的第二極性電極之間進行真空密封，帶電粒子產生器通過真空經由所述發光二極管器件的第二極性電極將電子或電流傳輸至所述發光二極管器件中。

4.根據權利要求1所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述非直接電接觸式電極為場板電極，場板電極和所述發光二極管器件的第二極性電極之間填充導電溶液，場板電極通過導電溶液經由所述發光二極管器件的第二極性電極將電子或電流傳輸至所述發光二極管器件中。

5.根據權利要求1所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述發光二極管器件為氮化鎵（GaN）基發光二極管或砷化鎵（GaAs）基發光二極管或磷化鎵（GaP）基發光二極管器件。

6.根據權利要求1所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述光探測器可對所述發光二極管器件發射的光信號進行采集并形成相應的分布圖。

7.根據權利要求1所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述光探測器位于基板的下方。

8.根據權利要求1所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述發光二極管器件的第一極性電極和第二極性電極之間通過沉積保護層使其保持電性絕緣。

9.根據權利要求8所述的一種非直接電接觸式的發光二極管器件的電致發光量測方法，其特征在于：所述保護層材料為氧化硅、氮化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化鉿、氧化鎂、氧化鈦中的一種或多種混合組成。