[發明專利]空間重疊多電極控制VCSEL列陣

在審

• 申請號: 201811643652.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109462146A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 王俊;譚少陽;榮宇峰
• 申請（專利權）人: 蘇州長光華芯光電技術有限公司
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/42;H01S5/042
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 楊淑霞

本發明提供一種空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其包括：第一發光芯片以及與第一發光芯片同步或者異步工作的第二發光芯片；第一發光芯片和第二發光芯片位于襯底層的正面，任一發光芯片包括自上而下依次層疊設置的：上DBR層、有源層以及下DBR層，第一發光芯片具有與其上DBR層電連接的第一電極，第二發光芯片具有與其上DBR層電連接的第二電極，第一電極和第二電極之間設置有第一絕緣層，襯底層的背面還設置有背電極。本發明通過設置可同步或者異步工作第一發光芯片和第二發光芯片，可實現光強度的調節，且有利于節約能源。同時，本發明通過對第一發光芯片和第二發光芯片的排布進行優化設置，有利于獨立或組合實現均勻發光。

技術領域

本發明涉及激光器技術領域，尤其涉及一種空間重疊多電極控制VCSEL列陣。

背景技術

隨著3D呈像、激光雷達等技術和應用的發展，垂直腔面發射激光器(VCSEL)受到人們越來越多的關注。VCSEL結構是通過外延生長和電極工藝制備的二極管。二極管的一端在外延面，一端在襯底面。根據需要，可設置多個VCSEL結構的發光點，以滿足實際的發光需求。然而，現有的產品中，多個VCSEL結構的發光點同步驅動發光，如此無法實現發光強度的調節，且不利于節約電能。因此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。

發明內容

本發明旨在提供一種空間重疊多電極控制VCSEL列陣，以克服現有技術中存在的不足。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案是：

一種空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其包括：第一發光芯片以及與所述第一發光芯片同步或者異步工作的第二發光芯片；

所述第一發光芯片和第二發光芯片位于襯底層的正面，所述任一發光芯片包括自上而下依次層疊設置的：上DBR層、有源層以及下DBR層，所述第一發光芯片具有與其上DBR層電連接的第一電極，所述第二發光芯片具有與其上DBR層電連接的第二電極，所述第一電極和第二電極之間設置有第一絕緣層，所述襯底層的背面還設置有背電極。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，所述第一電極、第一絕緣層、第二電極具有避讓所述第一發光芯片的上DBR層發光面的第一鏤空結構。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，所述第一電極、第一絕緣層、第二電極具有避讓所述第二發光芯片的上DBR層發光面的第二鏤空結構。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，所述空間重疊多電極控制VCSEL列陣還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一發光芯片和第二發光芯片的表面，并具有避讓所述第一發光芯片和第二發光芯的上DBR層發光面的第三鏤空結構。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，所述第一電極和第二電極為金屬薄膜電極。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，所述第一發光芯片為多個，多個第一發光芯片以規則或者不規則的方式分布于所述襯底層上，多個第一發光芯片所占據區域的面積與所述襯底層上表面的面積相一致。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，多個第一發光芯片以規則方式分布時，多個第一發光芯片以陣列方式進行排布。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，所述第二發光芯片為多個，多個第二發光芯片以規則或者不規則的方式分布于所述襯底層上，多個第二發光芯片所占據區域的面積與所述襯底層上表面的面積相一致。

作為本發明的空間重疊多電極控制VCSEL列陣的改進，多個第二發光芯片以規則方式分布時，多個第二發光芯片以陣列方式進行排布。