[發明專利]空間重疊多電極控制VCSEL列陣在審
| 申請號： | 201811643652.1 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109462146A | 公開（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發明（設計）人： | 王俊;譚少陽;榮宇峰 | 申請（專利權）人： | 蘇州長光華芯光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/40 | 分類號： | H01S5/40;H01S5/42;H01S5/042 |
| 代理公司： | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人： | 楊淑霞 |
| 地址： | 215163 江蘇省蘇州市高*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光芯片 第二電極 第一電極 空間重疊 襯底層 電連接 多電極 列陣 絕緣層 均勻發光 依次層疊 背電極 排布 源層 背面 節約 能源 優化 | ||
1.一種空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述空間重疊多電極控制VCSEL列陣包括：第一發光芯片以及與所述第一發光芯片同步或者異步工作的第二發光芯片；
所述第一發光芯片和第二發光芯片位于襯底層的正面，所述任一發光芯片包括自上而下依次層疊設置的：上DBR層、有源層以及下DBR層，所述第一發光芯片具有與其上DBR層電連接的第一電極，所述第二發光芯片具有與其上DBR層電連接的第二電極，所述第一電極和第二電極之間設置有第一絕緣層，所述襯底層的背面還設置有背電極。
2.根據權利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一電極、第一絕緣層、第二電極具有避讓所述第一發光芯片的上DBR層發光面的第一鏤空結構。
3.根據權利要求2所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一電極、第一絕緣層、第二電極具有避讓所述第二發光芯片的上DBR層發光面的第二鏤空結構。
4.根據權利要求3所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述空間重疊多電極控制VCSEL列陣還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一發光芯片和第二發光芯片的表面，并具有避讓所述第一發光芯片和第二發光芯的上DBR層發光面的第三鏤空結構。
5.根據權利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一電極和第二電極為金屬薄膜電極。
6.根據權利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一發光芯片為多個，多個第一發光芯片以規則或者不規則的方式分布于所述襯底層上，多個第一發光芯片所占據區域的面積與所述襯底層上表面的面積相一致。
7.根據權利要求6所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，多個第一發光芯片以規則方式分布時，多個第一發光芯片以陣列方式進行排布。
8.根據權利要求1或6所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第二發光芯片為多個，多個第二發光芯片以規則或者不規則的方式分布于所述襯底層上，多個第二發光芯片所占據區域的面積與所述襯底層上表面的面積相一致。
9.根據權利要求8所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，多個第二發光芯片以規則方式分布時，多個第二發光芯片以陣列方式進行排布。
10.根據權利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述獨立開關式面光源VCSEL為適用于紅外、可見、紫外光波段面光源VCSEL中的任一種。
11.根據權利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述獨立開關式面光源VCSEL為適用于無偏振控制或偏振控制的面光源結構。
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