[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示器件

有效

• 申請號: 201811643099.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111403418B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 李松舉;宋晶堯;付東
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12;G02F1/1362
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 曾銀鳳

本發明涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示器件，該陣列基板包括襯底、有源層、柵極絕緣層、柵極層、中間介電層、半導體層、漏電極以及源電極；有源層設置在襯底上，柵極絕緣層設置在有源層上，柵極層設置在柵極絕緣層上，中間介電層設置在柵極層以及柵極絕緣層上，半導體層經由第一孔洞中與第二電極連接區形成PN結，漏電極設置在半導體層上，源電極經由第二孔洞與第一電極連接區電性連接。本發明通過設置半導體層與有源層的第二電極連接區形成PN結，形成二極管結構，使陣列基板的電流只能往一個方向流動，從而減小了可能產生的漏電流。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示器件。

背景技術

目前的平板顯示中，為達到高分辨率而廣泛采用了陣列基板作為有源驅動顯示的基礎，以此來獲得高速圖像轉換和更高分辨率的顯示效果。其中，陣列基板作為有源驅動的重要組成部分，目前主流驅動器件為非晶硅、多晶硅和氧化物陣列基板。其中，低溫多晶硅技術是目前公認的最適用于手機平板終端高精細顯示的陣列基板制造技術。低溫多晶硅陣列基板具有高遷移率、低開啟電壓、高可靠性和穩定性等優點，比起非晶硅陣列基板，多晶硅陣列基板的漏電流(Ioff)也更加小。但是，相比氧化物陣列基板，其漏電流高出了1～2個數量級，雖然目前低溫多晶硅陣列基板的漏電流基本上能夠符合要求，但它實際上會增加顯示器的功耗，減小了制作過程中的工藝窗口。因此，仍然有必要降低低溫多晶硅陣列基板的漏電流。

發明內容

基于此，有必要提供一種能夠減小漏電流的陣列基板及其制作方法、顯示器件。

一種陣列基板，包括：

襯底；

有源層，設置在所述襯底上，所述有源層具有第一電極連接區和第二電極連接區；

柵極絕緣層，設置在所述有源層上；

柵極層，設置在所述柵極絕緣層上；

中間介電層，設置在所述柵極層以及所述柵極絕緣層上，所述中間介電層設有貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述第二電極連接區的第一孔洞，所述中間介電層設有貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述第一電極連接區的第二孔洞；

半導體層，位于所述第一孔洞中且與所述第二電極連接區形成PN結；

漏電極，設置在所述半導體層上；以及

源電極，經由所述第二孔洞與所述第一電極連接區電性連接。

在其中一個實施例中，所述中間介電層包括第一中間介電層和第二中間介電層，所述第一中間介電層設置在所述柵極層以及所述柵極絕緣層上，所述第二中間介電層設置在所述第一中間介電層上，所述陣列基板上沉積有第一電容電極和第二電容電極，所述第一電容電極設置在所述柵極絕緣層與所述第一中間介電層之間，所述第二電容電極設置在所述第一中間介電層與所述第二中間介電層之間，且所述第一電容電極在所述襯底上的正投影與所述第二電容電極在所述襯底上的正投影至少部分重疊。

在其中一個實施例中，所述第二電極連接區的材質為N型半導體，所述半導體層的材質為P型半導體。

在其中一個實施例中，所述第二電極連接區的材質為P型半導體，所述半導體層的材質為N型半導體。

在其中一個實施例中，所述中間介電層設有貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述第二電極連接區的第三孔洞以及貫穿所述中間介電層至所述柵極層的第四孔洞，所述漏電極包括第一漏電極和第二漏電極，所述第一漏電極經由所述第三孔洞與所述第二電極連接區電性連接，所述第二漏電極設置在所述半導體層上，且所述第二漏電極還經由所述第四孔洞與所述柵極層電性連接。

在其中一個實施例中，所述第二電極連接區的材質為N型半導體，所述半導體層的材質為P型半導體。