[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811643099.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN111403418B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李松舉;宋晶堯;付東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12;G02F1/1362
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 曾銀鳳

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

有源層，設(shè)置在所述襯底上，所述有源層具有第一電極連接區(qū)和第二電極連接區(qū)；

柵極絕緣層，設(shè)置在所述有源層上；

柵極層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；

中間介電層，設(shè)置在所述柵極層以及所述柵極絕緣層上，所述中間介電層設(shè)有貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述第二電極連接區(qū)的第一孔洞，所述中間介電層設(shè)有貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述第一電極連接區(qū)的第二孔洞；所述中間介電層設(shè)有貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述第二電極連接區(qū)的第三孔洞以及貫穿所述中間介電層至所述柵極層的第四孔洞；

半導(dǎo)體層，位于所述第一孔洞中且與所述第二電極連接區(qū)形成PN結(jié)；

漏電極；

源電極，經(jīng)由所述第二孔洞與所述第一電極連接區(qū)電性連接；以及

漏電極包括第一漏電極和第二漏電極，所述第一漏電極經(jīng)由所述第三孔洞與所述第二電極連接區(qū)電性連接，所述第二漏電極設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上，且所述第二漏電極還經(jīng)由所述第四孔洞與所述柵極層電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述中間介電層包括第一中間介電層和第二中間介電層，所述第一中間介電層設(shè)置在所述柵極層以及所述柵極絕緣層上，所述第二中間介電層設(shè)置在所述第一中間介電層上，所述陣列基板上沉積有第一電容電極和第二電容電極，所述第一電容電極設(shè)置在所述柵極絕緣層與所述第一中間介電層之間，所述第二電容電極設(shè)置在所述第一中間介電層與所述第二中間介電層之間，且所述第一電容電極在所述襯底上的正投影與所述第二電容電極在所述襯底上的正投影至少部分重疊。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極連接區(qū)的材質(zhì)為N型半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)為P型半導(dǎo)體；或者，

所述第二電極連接區(qū)的材質(zhì)為P型半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)為N型半導(dǎo)體。

4.如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層設(shè)置在所述漏電極、所述源電極以及所述中間介電層上。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括平坦層，所述平坦層設(shè)置在所述鈍化層上。

6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上制作有源層；

在所述有源層上制作柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上制作柵極層；

在所述柵極層以及所述柵極絕緣層上制作中間介電層；

制作貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述有源層的第二電極連接區(qū)的第一孔洞；

制作貫穿所述中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述有源層的第一電極連接區(qū)的第二孔洞；

制作貫穿中間介電層以及所述柵極絕緣層直至所述第二電極連接區(qū)的第三孔洞以及貫穿所述中間介電層至所述柵極層的第四孔洞；

在所述第一孔洞內(nèi)且在所述第二電極連接區(qū)上制作半導(dǎo)體層，使所述半導(dǎo)體層與所述第二電極連接區(qū)形成PN結(jié)；

制作漏電極；所述漏電極包括第一漏電極和第二漏電極，所述第一漏電極經(jīng)由所述第三孔洞與所述第二電極連接區(qū)電性連接，所述第二漏電極與所述半導(dǎo)體層電性連接，且所述第二漏電極還經(jīng)由所述第四孔洞與所述柵極層電性連接；

制作經(jīng)由所述第二孔洞與所述第一電極連接區(qū)電性連接的源電極。

7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述柵極層以及所述柵極絕緣層上制作中間介電層的步驟包括：

在所述柵極絕緣層上制作第一電容電極，在所述柵極層、所述柵極絕緣層以及所述第一電容電極上制作第一中間介電層，在所述第一中間介電層上制作第二電容電極，使所述第一電容電極在所述襯底上的正投影與所述第二電容電極在所述襯底上的正投影至少部分重疊，在所述第一中間介電層以及所述第二電容電極上制作第二中間介電層。

8.一種顯示器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的陣列基板以及設(shè)置在所述陣列基板上的發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層由所述陣列基板驅(qū)動(dòng)發(fā)光。