[發明專利]一種環形銀微米顆粒陣列及其制備方法與應用

在審

• 申請號: 201811642978.2
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109735881A
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 金名亮;張鴿;盧涵;水玲玲;周國富
• 申請（專利權）人: 肇慶市華師大光電產業研究院
• 主分類號: C25D3/46
• 分類號: C25D3/46;C25D7/12;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 任重

1.一種環形銀微米顆粒陣列的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1. 在單晶硅片上制備光刻膠圖形陣列；所述光刻膠圖形陣列的圖形長度為1 μm~100mm，相鄰圖形之間的中心距為2 μm~500 mm；

S2. 將S1中帶有光刻膠圖形陣列的單晶硅片進行轉膜后，移除光刻膠，得到帶有二維硅微結構的單晶硅片；

S3. 將S2中帶有二維硅微結構的單晶硅片置于氫氟酸和硝酸銀中進行電化學反應，干燥即得到環形銀微米顆粒陣列；

所述氫氟酸的濃度為1×10^-8 mol/L~23 mol/L；所述硝酸銀的濃度為1×10^-8 mol/L~12mol/L；所述電化學反應的時間為1 s~120 min。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述光刻膠圖形陣列的圖形長度為5~500 μm，相鄰圖形之間的中心距為10~1000 μm。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述光刻膠圖形陣列的圖形長度為5 μm~10 mm，相鄰圖形之間的中心距為10 μm~50 mm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述氫氟酸的濃度為0.01mol/L~10 mol/L。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述硝酸銀的濃度為0.01mol/L~1 mol/L。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述電化學反應的時間為1s~15 min。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中制備光刻膠圖形陣列的過程為：在帶有掩膜層的單晶硅片上旋涂光刻膠，通過光刻技術利用掩膜，在單晶硅片上制備光刻膠圖形陣列。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述單晶硅片為（100）晶向的單晶硅片、（110）晶向的單晶硅片或（111）晶向的單晶硅片。

9.權利要求1~8任一項所述制備方法制得的環形銀微米顆粒陣列。

10.權利要求9所述環形銀微米顆粒陣列在定點表面增強拉曼檢測中的應用。