[發(fā)明專利]多反應(yīng)管等離子體設(shè)備和分解硫化氫的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811642922.7 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN111377400A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張婧;張樹才;張鐵;徐偉;任君朋;李亞輝;周明川;石寧 | 申請(專利權(quán))人: | 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司青島安全工程研究院 |
| 主分類號: | C01B3/04 | 分類號: | C01B3/04;C01B17/04 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 陳靜;喬雪微 |
| 地址: | 100728 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng) 等離子體 設(shè)備 分解 硫化氫 方法 | ||
1.一種多反應(yīng)管等離子體設(shè)備,該設(shè)備包括:
第一空腔(1),由至少兩個平行設(shè)置且頂部和底部分別對應(yīng)相通的反應(yīng)管構(gòu)成,且各個所述反應(yīng)管中分別設(shè)置有內(nèi)電極(3)、外電極(4)和阻擋介質(zhì)(6),以及所述第一空腔(1)上分別設(shè)置有第一入口(11)和第一出口;
第二空腔(2),所述第二空腔(2)嵌套在所述第一空腔(1)的內(nèi)部,且所述第二空腔(2)上分別設(shè)置有第二入口(21)和第二出口(22);
其中,在各個所述反應(yīng)管中,
至少部分所述內(nèi)電極(3)伸入所述反應(yīng)管中;
所述外電極(4)形成所述反應(yīng)管的至少部分側(cè)壁或者環(huán)繞設(shè)置在所述反應(yīng)管的側(cè)壁上;以及
所述阻擋介質(zhì)(6)設(shè)置在所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)之間,使得所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)之間的放電區(qū)域由所述阻擋介質(zhì)(6)間隔;
所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)均為固體電極,且兩者的形狀相互配合以形成等徑結(jié)構(gòu);
所述內(nèi)電極(3)的外側(cè)壁和所述外電極(4)的內(nèi)側(cè)壁之間的距離為L1,所述阻擋介質(zhì)(6)的厚度為D1,L2=L1-D1,且L2與D1之間的比例關(guān)系為(0.1~100):1,優(yōu)選L2與D1之間的比例關(guān)系為(0.1~30):1;更優(yōu)選為(0.2~15):1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,各個所述反應(yīng)管中的內(nèi)電極(3)彼此并聯(lián)連接;
優(yōu)選地,各個所述反應(yīng)管中的外電極(4)彼此并聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其中,在各個所述反應(yīng)管中,所述內(nèi)電極(3)形成所述第二空腔(2)的至少部分側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備,其中,在各個所述反應(yīng)管中,所述內(nèi)電極(3)環(huán)繞設(shè)置在所述第二空腔(2)的側(cè)壁上;
優(yōu)選地,在各個所述反應(yīng)管中,所述內(nèi)電極(3)環(huán)繞設(shè)置在所述第二空腔(2)的外側(cè)壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的設(shè)備,其中,在各個所述反應(yīng)管中,所述阻擋介質(zhì)(6)形成所述反應(yīng)管的至少部分側(cè)壁或者環(huán)繞設(shè)置在所述反應(yīng)管的內(nèi)側(cè)壁上;
優(yōu)選地,所述反應(yīng)管由阻擋介質(zhì)(6)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的設(shè)備,其中,在各個所述反應(yīng)管中,所述外電極(4)環(huán)繞設(shè)置在所述反應(yīng)管的外側(cè)壁上,且所述阻擋介質(zhì)形成所述反應(yīng)管的至少部分側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的設(shè)備,其中,在各個所述反應(yīng)管中,所述阻擋介質(zhì)(6)設(shè)置在所述內(nèi)電極(3)的至少部分外表面上,使得所述內(nèi)電極(3)的至少部分外表面上包裹有所述阻擋介質(zhì)(6)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的設(shè)備,其中,在各個所述反應(yīng)管中,所述阻擋介質(zhì)(6)環(huán)繞設(shè)置在所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)之間,且分別與所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)之間的距離均大于0。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任意一項所述的設(shè)備,其中,所述第一空腔(1)的個數(shù)為1個。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任意一項所述的設(shè)備,其中,所述第一空腔(1)的個數(shù)為2個以上,且各個所述第一空腔(1)均分別由至少兩個平行設(shè)置且頂部和底部分別對應(yīng)相通的反應(yīng)管構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任意一項所述的設(shè)備,其中,所述阻擋介質(zhì)的材質(zhì)為電絕緣材料;優(yōu)選選自玻璃、石英、陶瓷、搪瓷、聚四氟乙烯和云母中的至少一種;
所述外電極(4)和所述內(nèi)電極(3)各自獨立地選自導(dǎo)電材料:優(yōu)選各自獨立地選自石墨管、石墨粉、金屬棒、金屬箔、金屬網(wǎng)、金屬管、金屬粉和石墨棒中的至少一種。
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