[發明專利]一種太陽電池中多晶硅膜層的鈍化方法

在審

• 申請號: 201811642707.7
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109713082A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 徐冠群;包健;張昕宇;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

本發明提供了一種太陽電池中多晶硅膜層的鈍化方法，包括以下步驟：A)在多晶硅膜層的表面沉積一層掩膜，然后在所述掩膜的表面復合一層指柵線圖形的有機蠟，得到預處理的多晶硅膜層；B)將預處理的多晶膜層先浸入第一HF溶液中，蝕刻沒有有機蠟保護區域的掩膜，再使用堿溶液將有機蠟清洗除去；C)將除去有機蠟的多晶硅膜層浸入制絨堿液中，蝕刻沒有掩膜保護區域的多晶硅膜層，再使用第二HF溶液將掩膜清洗除去，得到具有指柵線圖案的多晶硅膜層；D)將所述具有指柵線圖案的多晶硅膜層依次進行鈍化和絲網印刷。本發明利用掩膜和有機蠟實現選擇性的多晶硅鈍化技術，達到金屬區域多晶硅保留，其他地方被刻蝕掉，而且實現了極低的吸光系數。

技術領域

本發明屬于太陽能電池技術領域，尤其涉及一種太陽電池中多晶硅膜層的鈍化方法。

背景技術

太陽電池的開路電壓直接受太陽電池內部復合的影響，而太陽電池發展至今金屬接觸區域的復合已經占到了很多的比重，是限制太陽電池開路進一步提升的主要因素。

目前，鈍化接觸技術十分火熱，所謂的鈍化接觸技術是指在用于收集電流作用的金屬電極不直接與硅基體接觸，之間多了一層超薄的氧化層還有一層摻雜的多晶硅膜層。這樣設計的好處就是保證金屬電極與硅基體之間的金屬復合電流密度幾乎降至為零，而且用超薄氧化層的多晶硅鈍化的界面態復合也得到了降低，于是與太陽電池飽和復合電流密度負相關的太陽電池開路電壓得到極大的提升。

但是，用于鈍化接觸技術的多晶硅吸光系數很大，會相應地減少進入太陽電池體區光子的總量，從而降低了太陽電池的短路電流。因此，目前鈍化接觸技術無法將鈍化接觸技術應用在太陽電池的正面，一般都用于太陽電池的背面，以便對光的吸收的影響降到最低。因此，為了進一步提升太陽能電池的效率，必須要解決多晶硅吸收光的問題。

發明內容

本發明提供了一種太陽電池中多晶硅膜層的鈍化方法，本發明中的鈍化方法能夠避免多晶硅吸收光的問題，提高太陽電池的效率。

本發明提供一種太陽電池中多晶硅膜層的鈍化方法，包括以下步驟：

A)在多晶硅膜層的表面沉積一層掩膜，然后在所述掩膜的表面復合一層指柵線圖形的有機蠟，得到預處理的多晶硅膜層；

B)將預處理的多晶硅膜層先浸入第一HF溶液中，蝕刻沒有有機蠟保護區域的掩膜，再使用堿溶液將有機蠟清洗除去；

C)將除去有機蠟的多晶硅膜層浸入制絨堿液中，蝕刻沒有掩膜保護區域的多晶硅，再使用第二HF溶液將掩膜清洗除去，得到具有指柵線圖案的多晶硅膜層；

D)將所述具有指柵線圖案的多晶硅膜層依次進行鈍化、絲網印刷和燒結。

優選的，所述掩膜為氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。

優選的，所述掩膜的厚度為60～160nm。

優選的，所述有機蠟的指柵線的線寬為100～300μm。

優選的，所述第一HF溶液的質量濃度為5～50％。

優選的，所述步驟B)中的堿溶液的質量濃度為0.1～10％。

優選的，所述步驟B)中的堿溶液包括堿和二乙二醇丁醚；所述堿為KOH和/或NaOH。

優選的，所述制絨堿液包括KOH和制絨添加劑。

優選的，所述制絨堿液的質量濃度為1～15％。

優選的，所述第二HF溶液的質量濃度為0.1～10％。