[發明專利]一種太陽電池中多晶硅膜層的鈍化方法在審
| 申請號: | 201811642707.7 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109713082A | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 徐冠群;包健;張昕宇;金浩 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙青朵 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶硅膜層 掩膜 有機蠟 鈍化 預處理 蝕刻 浸入 保護區域 柵線圖案 多晶硅 再使用 清洗 表面沉積 表面復合 鈍化技術 金屬區域 絲網印刷 吸光系數 柵線圖形 多晶膜 堿溶液 堿液 刻蝕 制絨 保留 | ||
1.一種太陽電池中多晶硅膜層的鈍化方法,包括以下步驟:
A)在多晶硅膜層的表面沉積一層掩膜,然后在所述掩膜的表面復合一層指柵線圖形的有機蠟,得到預處理的多晶硅膜層;
B)將預處理的多晶硅膜層先浸入第一HF溶液中,蝕刻沒有有機蠟保護區域的掩膜,再使用堿溶液將有機蠟清洗除去;
C)將除去有機蠟的多晶硅膜層浸入制絨堿液中,蝕刻沒有掩膜保護區域的多晶硅,再使用第二HF溶液將掩膜清洗除去,得到具有指柵線圖案的多晶硅膜層;
D)將所述具有指柵線圖案的多晶硅膜層依次進行鈍化、絲網印刷和燒結。
2.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述掩膜為氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。
3.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述掩膜的厚度為60~160nm。
4.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述有機蠟的指柵線的線寬為100~300μm。
5.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述第一HF溶液的質量濃度為5~50%。
6.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述步驟B)中的堿溶液的質量濃度為0.1~10%。
7.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述步驟B)中的堿溶液包括堿和二乙二醇丁醚;所述堿為KOH和/或NaOH。
8.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述制絨堿液包括KOH和制絨添加劑。
9.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述制絨堿液的質量濃度為1~15%。
10.根據權利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述第二HF溶液的質量濃度為0.1~10%。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司,未經浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811642707.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





