[發明專利]量子點發光二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201811639626.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111384307B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 張節;向超宇
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

本發明提供了一種量子點發光二極管的制備方法，包括以下步驟：提供設置有電子傳輸層的基板；在所述電子傳輸層表面沉積溶液，靜置至所述電子傳輸層浸潤后進行干燥處理，所述溶液包括主體溶劑和溶于所述主體溶劑中的溶質，所述溶質的極性大于所述主體溶劑的極性，且所述溶液不溶解所述電子傳輸層中的電子傳輸材料；在經所述混合溶劑處理后的電子傳輸層上制備其它膜層，制備量子點發光二極管，且使得所述量子點發光二極管至少包括以下結構：相對設置的陽極和陰極，設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，設置在所述量子點發光層與所述陰極之間的電子傳輸層。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種量子點發光二極管的制備方法。

背景技術

量子點(quantum dots)，又稱半導體納米晶，其三維尺寸均在納米范圍內(1-100nm)，是一種介于體相材料和分子間的納米顆粒論。量子點具有量子產率高、摩爾消光系數大、光穩定性好、窄半峰寬、寬激發光譜和發射光譜可控等優異的光學性能，非常適合用作發光器件的發光材料。近年來，量子點熒光材料由于其光色純度高、發光顏色可調、使用壽命長等優點，廣泛被看好用于平板顯示領域，成為極具潛力的下一代顯示和固態照明光源。量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于量子點材料作為發光材料的發光器件，由于其具有波長可調、發射光譜窄、穩定性高、電致發光量子產率高等優點，成為下一代顯示技術的有力競爭者。

QLED器件基礎結構包括相對設置的陽極和陰極，以及設置在陽極和陰極之間的量子點發光層。為了平衡QLED器件的載流子傳輸性能，會在量子點發光層和電極之間引入空穴功能層。通常的，在量子點發光層和陰極之間，設置電子傳輸層。QLED器件制備過程中，電子傳輸層不可避免地會引入雜質，雜質的存在，影響量子點發光二極管的發光效率和使用壽命。

發明內容

本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管的制備方法，旨在解決量子點發光二極管中的電子傳輸層中含有雜質，影響量子點發光二極管的發光效率和使用壽命的的問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

一種量子點發光二極管的制備方法，包括以下步驟：

提供設置有電子傳輸層的基板，所述設置有電子傳輸層的基板包括：陽極基板，設置在所述陽極基板上的量子點發光層，以及設置在所述量子點發光層背離所述陽極基板一側的電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面沉積溶液，靜置至所述電子傳輸層被所述溶液浸潤后進行干燥處理，所述溶液包括主體溶劑和溶于所述主體溶劑中的溶質，所述溶質的極性大于所述主體溶劑的極性，且所述溶液不溶解所述電子傳輸層中的電子傳輸材料；或，

提供設置有電子傳輸層的基板，所述設置有電子傳輸層的基板包括：陰極基板，以及設置在所述陰極基板上的電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面沉積溶液，靜置至所述電子傳輸層被所述溶液浸潤后進行干燥處理，所述溶液包括主體溶劑和溶于所述主體溶劑中的溶質，所述溶質的極性大于所述主體溶劑的極性，且所述溶液不溶解所述電子傳輸層中的電子傳輸材料。

本發明提供的量子點發光二極管的制備方法，在所述電子傳輸層表面沉積溶液，其中，所述溶液包括主體溶劑和溶于所述主體溶劑中的溶質，所述溶質的極性小于等于所述主體溶劑的極性，且所述溶液不溶解述電子傳輸層中的電子傳輸材料。所述溶液在所述電子傳輸層表面浸潤，溶質通過固液兩相界面吸附在所述電子傳輸層的膜層表面，將殘留在電子傳輸層中的雜質溶解，并通過后續加熱處理去除，從而提高量子點發光二極管的發光效率和使用壽命。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的量子點發光二極管的制備方法流程圖。

具體實施方式