[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811639626.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111384307B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張節(jié);向超宇
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供設(shè)置有電子傳輸層的基板，所述設(shè)置有電子傳輸層的基板包括：陽極基板，設(shè)置在所述陽極基板上的量子點發(fā)光層，以及設(shè)置在所述量子點發(fā)光層背離所述陽極基板一側(cè)的電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面沉積溶液，靜置至所述電子傳輸層被所述溶液浸潤，使所述溶液中的溶質(zhì)將殘留在電子傳輸層中的雜質(zhì)溶解后，進行干燥處理，所述溶液包括主體溶劑和溶于所述主體溶劑中的溶質(zhì)，所述溶質(zhì)的極性大于所述主體溶劑的極性，且所述溶液不溶解所述電子傳輸層中的電子傳輸材料；或，

提供設(shè)置有電子傳輸層的基板，所述設(shè)置有電子傳輸層的基板包括：陰極基板，以及設(shè)置在所述陰極基板上的電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面沉積溶液，靜置至所述電子傳輸層被所述溶液浸潤，使所述溶液中的溶質(zhì)將殘留在電子傳輸層中的雜質(zhì)溶解后，進行干燥處理，所述溶液包括主體溶劑和溶于所述主體溶劑中的溶質(zhì)，所述溶質(zhì)的極性大于所述主體溶劑的極性，且所述溶液不溶解所述電子傳輸層中的電子傳輸材料。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述主體溶劑選自直鏈中碳原子數(shù)目小于20的烷烴及其衍生物、碳原子數(shù)目小于20的環(huán)烷烴及其衍生物、直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的烯烴及其衍生物和直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的酯類及其衍生物中的一種或兩種以上的組合。

3.如權(quán)利要求2所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述主體溶劑選自直鏈碳原子數(shù)目小于20的烷烴及其衍生物選自正己烷、正庚烷、1-辛烷、3-甲基庚烷和1-氯己烷中的一種或多種；

所述碳原子數(shù)目小于20的環(huán)烷烴及其衍生物選自環(huán)己烷、2-甲基環(huán)己烷、環(huán)庚烷和環(huán)己基乙酸中的一種或多種；

所述直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的酯類及其衍生物選自乙酸乙酯、丁酸乙酯和扁桃酸乙酯中的一種或多種；

所述直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的烯烴及其衍生物選自3-己烯、4-辛烯、5-癸烯、5-甲基-5-癸烯和9-十八烯酸中的一種或多種。

4.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述溶質(zhì)選自直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的硫醇、直鏈中的碳原子數(shù)目小于15的有機酸、直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的鹵代烴、氨基酸和有機堿中的一種或兩種以上的組合。

5.如權(quán)利要求4所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的硫醇選自丁硫醇、戊硫醇、庚硫醇、辛硫醇和十八硫醇中的一種或多種；

所述直鏈中的碳原子數(shù)目小于15的有機酸及其衍生物選自十四酸、全氟辛酸、全氯癸基羧酸和全氟十二烷酸中的一種或多種；

所述直鏈中的碳原子數(shù)目小于20的鹵代烴選自1-氟丙烷、1-氯丁烷、1-氯己烷和3-氟己烷中的一種或多種；

所述氨基酸選自甘氨酸、絲氨酸、半胱氨酸和異亮氨酸中的一種或多種；

所述有機堿選自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和四甲基氫氧化銨中的一種或多種。

6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，以所述溶液的總重量為100％計，所述溶質(zhì)的重量百分含量為0.0001-1％。

7.如權(quán)利要求6所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，以所述溶液的總重量為100％計，所述溶質(zhì)的重量百分含量為0.0001-0.5％。

8.如權(quán)利要求1至5任一項所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述電子傳輸層表面沉積溶液，在溫度為10℃-60℃條件下靜置至所述電子傳輸層浸潤后進行干燥處理。

9.如權(quán)利要求1至5任一項所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述電子傳輸層表面沉積溶液，靜置至所述電子傳輸層浸潤后通過抽真空進行干燥處理。