[發(fā)明專利]一種二維光纖陣列的測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811638679.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109580186A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝燕;萬(wàn)祥;童嚴(yán);時(shí)堯成;戴道鋅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州天步光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01M11/02
• 分類號(hào): G01M11/02
• 代理公司: 蘇州誠(chéng)逸知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32313
• 代理人: 周亞婷

1.一種二維光纖陣列的測(cè)試方法，其特征在于，具體步驟包括：

A、使用六維高精度調(diào)節(jié)架與插回?fù)p測(cè)試儀將非二維光纖陣列輔助測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)試，得出非二維光纖陣列輔助測(cè)試結(jié)構(gòu)的光學(xué)損耗M1；

B、使用六維高精度調(diào)節(jié)架與插回?fù)p測(cè)試儀將非二維光纖陣列輔助測(cè)試結(jié)構(gòu)與二維光纖陣列進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)試，得出光纖陣列的組合光學(xué)損耗M2；

C、將上述步驟得出的光學(xué)損耗M2減去M1可計(jì)算出其中的二維光纖陣列的損耗M3，根據(jù)M3值的大小范圍來(lái)判斷二維光纖陣列是否滿足使用要求，達(dá)到二維光纖陣列在應(yīng)用前的性能判別要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維光纖陣列的測(cè)試方法，其特征在于，所述非二維光纖陣列輔助測(cè)試結(jié)構(gòu)為一維光纖陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二維光纖陣列的測(cè)試方法，其特征在于，所述一維光纖陣列與所述的二維光纖陣列的光纖纖芯距必須相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維光纖陣列的測(cè)試方法，其特征在于，所述非二維光纖陣列輔助測(cè)試結(jié)構(gòu)由單通道光纖陣列和對(duì)應(yīng)纖芯距的PLC芯片組成。