[發明專利]一種顯示面板及其終端器件有效
| 申請號: | 201811635335.5 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN111384064B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 白思航 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 終端 器件 | ||
本發明提供了一種顯示面板,其定義有第一顯示區域和第二顯示區域,其包括襯底層。其中所述襯底層包括位置對應于所述第一顯示區域的第一部和位置對應于所述第二顯示區域的第二部,其中所述襯底層的第二部對于整體可見光波段能夠達到的透過率為80%或以上。本發明提供了一種顯示面板,其能夠進行整體性全屏顯示,不會存在明顯的非顯示區域,且透過率高。
技術領域
本發明涉及發光顯示技術領域,尤其是,其中的一種顯示面板及其應用的終端器件。
背景技術
已知,隨著技術的不斷進步,觸屏手機已成為人們日常生活必不可少的一個工具。但考慮到操作的便利性,使得手機的屏幕不能無限增大,相反,有時還需限制在一定尺寸內,因此,這就需要在有限的尺寸范圍內,進可能的增加其顯示范圍。即,業界常說的“窄邊框”設計,以便實現手機更大的屏占比。
其中,業界常見的做法為將顯示屏的邊框(border)區減小,其中針對減小下邊框,最有效的辦法是pad bending技術,即將顯示屏的一部分扇形區(Fanout)走線區及驅動IC及FPC一起彎折到屏幕的背面進行綁定(bonding),如此可有效減小下邊框區域的長度。
但由于顯示屏的上邊框區域處一般會放置手機的前置攝像頭,如此,為保證攝像頭的拍攝需求,無法繼續減小上邊框的范圍,而只能限制攝像頭的采光區域范圍。對此,業界采用“劉海”或“水滴”屏來實現border的縮減化,從而增加屏占比。
但是,無論哪種設計,所述顯示屏下設置的攝像頭都是在所述顯示屏的非顯示區域內,這就使得所述顯示屏的有效顯示范圍內,始終存在一處非顯示區域。為了實現真正的全面屏,提高客戶的視覺感受,需要將屏下設置的攝像頭結合在顯示屏的顯示區域中,即攝像時可以正常拍照,且透光率較高,而在所述攝像頭不攝像時,其上的顯示屏區域仍可以進行正常的圖像顯示。
請參閱圖1所示,其圖示了一種業界常見的OLED顯示面板的顯示區域的結構。如圖中所示,所述顯示面板的顯示區(AA區)是由PI(聚酰亞胺)層101’、器件陣列(array)層102’、有機發光(EL)層103’、封裝(TFE)層104’、觸控(DOT)層105’以及模組(MOD)器件層106’構成,以上所有結構中對光的透過率影響最大的膜層為所述PI層、器件陣列層中的金屬膜層、有機發光層構成中的陰極(cathode)膜層以及MOD器件中的各段偏光片(POL)。
因此,若能同時提高PI層、器件陣列層中的金屬膜層以及有機發光層中的陰極膜層的穿透率并且取消偏光片的使用,則可以有效提高其顯示區域的整體透過率,同時精簡制程,更有助于量產化。
發明內容
本發明的一個方面是提供一種顯示面板,其能夠進行整體上的全屏顯示,而不會存在明顯的非顯示區域,且透過率高。
本發明采用的技術方案如下:
一種顯示面板,定義有第一顯示區域和第二顯示區域,包括襯底層。其中所述襯底層包括位置對應于所述第一顯示區域的第一部和位置對應于所述第二顯示區域的第二部,其中所述襯底層的第二部對于整體可見光波段能夠達到的透過率為80%或以上。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述襯底層的第二部對于整體可見光波段能夠達到的透過率大于或是等于所述襯底層的第一部對于整體可見光波段能夠達到的透過率。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述襯底層的第二部對于可見光中的藍紫光波段的透過率為50%或以上。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述襯底層的第一部對于可見光中的藍紫光波段的透過率為30%。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述襯底層第一部采用第一PI材料構成,所述第二部采用第二PI材料構成,其中所述第一部和第二部相接的位置處,所述第一材料和所述第二材料重疊設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





