[發(fā)明專利]一種顯示面板及其終端器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811635335.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111384064B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白思航 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 終端 器件 | ||
1.一種顯示面板,定義有第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域,包括襯底層;其特征在于,其中所述襯底層包括位置對(duì)應(yīng)于所述第一顯示區(qū)域的第一部和位置對(duì)應(yīng)于所述第二顯示區(qū)域的第二部,其中所述襯底層的第二部對(duì)于整體可見光波段能夠達(dá)到的透過率為80%或以上;
其中所述襯底層第一部采用第一PI材料構(gòu)成,所述第二部采用第二PI材料構(gòu)成,其中所述第一部和第二部相接的位置處,所述第一PI 材料和所述第二PI 材料重疊設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板;其特征在于,其中所述襯底層的第二部對(duì)于整體可見光波段能夠達(dá)到的透過率大于或是等于所述襯底層的第一部對(duì)于整體可見光波段能夠達(dá)到的透過率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板;其特征在于,其中所述第二部對(duì)于可見光中的藍(lán)紫光波段的透過率為50%或以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板;其特征在于,其中所述襯底層上設(shè)置有器件陣列層,所述器件陣列層中設(shè)置有像素陣列,其中所述像素陣列包括設(shè)置在所述第一顯示區(qū)域的第一像素陣列和設(shè)置在所述第二顯示區(qū)域的第二像素陣列,其中在相同單位面積下所述第一像素陣列的像素陣列密度大于所述第二像素陣列的像素陣列密度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板;其特征在于,其中所述第二像素陣列中的相鄰像素之間的區(qū)域設(shè)置有透光通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板;其特征在于,其中所述第一像素陣列的像素陣列密度是所述第二像素陣列的像素陣列密度的1~100倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板;其特征在于,其中所述襯底層上設(shè)置有器件陣列層,所述器件陣列層中包括像素定義層;其中在所述第二顯示區(qū)域中的像素定義層采用第一有機(jī)光阻材料構(gòu)成,其中所述第一有機(jī)光阻材料的光密度(OD)值大于0.2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板;其特征在于,其中所述襯底層上設(shè)置有器件陣列層,所述器件陣列層中包括像素定義層;其中在所述第二顯示區(qū)域中的像素定義層采用黑色有機(jī)光阻材料構(gòu)成。
9.一種終端器件,其包括本體,其中所述本體上設(shè)置有感光器件;其特征在于,其中所述本體上設(shè)置有根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,所述感光器件對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述顯示面板的第二顯示區(qū)域下。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





