[發明專利]一種可撓性基板加工處理方法在審
| 申請號: | 201811633908.0 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109786309A | 公開(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發明(設計)人: | 王士敏;周威云;鄧移好;何春榮;古海裕;朱澤力;李文祥 | 申請(專利權)人: | 深圳萊寶高科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;G06F3/041;G09F9/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可撓性基板 襯底 形變 影響電子元件 夾具 四周邊緣 位置偏移 偏移 層間 翹曲 制造 保證 | ||
1.一種可撓性基板加工處理方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:提供一襯底(1)、一可撓性基板(2),所述襯底(1)具有相對設置的的第一表面(11)與第二表面(12),所述可撓性基板(2)具有相對設置的第三表面(21)與第四表面(22);
S2:將所述可撓性基板(2)通過所述第一表面(11)、第三表面(21)與襯底(1)貼合,所述可撓性基板(2)的第三表面(21)結合于所述襯底(1)的第一表面(11)上;
S3:提供一夾具;
S4:使用所述夾具3對結合好的可撓性基板(2)與所述襯底(1)的四周邊緣進行夾固處理,通過夾固所述襯1的第二表面(12)與所述可撓性基板(2)的第四表面(22)的邊緣。
2.如權利要求1所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,所述、第三表面(21)與第四表面(22)的平坦度Ra為0.006-0.1um,粗糙度Rz為0.05-0.1um。
3.如權利要求1所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,所述可撓性基板(2)可為PET膜或PI膜或COP膜或ETFE膜,所述可撓性基板(2)的厚度為50-125um。
4.如權利要求1所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,所述襯底(1)采用三層結構材料,由上自下分別為第一襯底層、第二襯底層與第三襯底層,所述第一襯底層與所述可撓性基板(2)采用同一種材料,所述第二襯底層為粘結層,所述第三襯底層為玻璃或者亞克力。
5.如權利要求4所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,所述襯底(1)的第三襯底層厚度為0.8-1.5mm。
6.如權利要求1所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,所述可撓性基板(2)的外邊緣較所述襯底(1)的外邊緣內縮2-5mm。
7.如權利要求1所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,所述夾具3為框型或者環型,所述夾具3的外邊緣較所述可撓性基板(2)的外邊緣的距離為3-10mm。
8.如權利要求7所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,所述夾具3內部設置一氣壓調節機構,所述氣壓調節機構可以調節所述夾具3與所述襯底(1)的第二表面(12)的接觸面的表面氣壓。
9.如權利要求1所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,還包括步驟S5:在所述可撓性基板(2)上設置電子元件。
10.如權利要求9所述的可撓性基板加工處理方法,其特征在于,還包括步驟S6:取下夾具3,將設置有電子元件的所述可撓性基板(2)與襯底(1)相剝離,裁切掉所述可撓性基板(2)上未設置有電子元件的邊緣材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





