[發(fā)明專利]金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811633016.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109980025A | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃智;徐建華;李質(zhì)磊;路忠林;吳仕梁;盛雯婷;張鳳鳴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇日托光伏科技股份有限公司;無錫日托光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0224 | 分類號(hào)： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237 | 代理人： | 賀翔 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 膜厚 激光打孔 硅太陽能電池 電極制備 金屬穿孔 正極點(diǎn) 正極區(qū) 卷繞 漏漿 工藝技術(shù)領(lǐng)域 印刷 產(chǎn)品品質(zhì) 正極網(wǎng) 網(wǎng)版 背面 分區(qū) 保證 | ||
本發(fā)明公開了金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極制備方法，涉及硅太陽能電池工藝技術(shù)領(lǐng)域，能夠在不影響正極點(diǎn)印刷效果前提下，降低激光打孔區(qū)漏漿幾率的目的。從而提高了網(wǎng)版壽命、提高了產(chǎn)品品質(zhì)。本發(fā)明將傳統(tǒng)膜厚相同的MWT背面正極網(wǎng)版，設(shè)計(jì)為分區(qū)不同的膜厚，即正極區(qū)與激光打孔區(qū)的膜厚設(shè)計(jì)為不同厚度，維持正極區(qū)的膜厚不變?cè)黾蛹す獯蚩讌^(qū)的膜厚，在保證正極點(diǎn)印刷效果不變的情況下，達(dá)到降低激光打孔區(qū)漏漿幾率的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及硅太陽能電池工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極制備方法。
背景技術(shù)
目前，晶體硅太陽能技術(shù)包括異質(zhì)結(jié)太陽能電池，背電極接觸硅太陽能電池，發(fā)射極環(huán)繞穿通硅太陽能電池，激光刻槽埋柵電池，傾斜蒸發(fā)金屬接觸硅太陽能電池及金屬穿孔卷繞硅太陽能電池等，其中金屬穿孔卷繞硅太陽能電池因其效率高，遮光面積小以及更好的外觀特點(diǎn)受到越來越多的關(guān)注。
金屬穿孔卷繞硅太陽能電池是通過激光鉆孔將受光面收集的能量穿過電池轉(zhuǎn)移至電池背光面的電極，以減少受光面的遮光面積來達(dá)到提高轉(zhuǎn)換效率的目的。
現(xiàn)有技術(shù)在制備金屬穿孔卷繞硅太陽能電池背光面電極時(shí)，一般通過分次印刷分別印刷制備電池的正極和負(fù)極，通過降低正極區(qū)的銀漿固含量和耗量，達(dá)到降低成本的目的，相比傳統(tǒng)的一次印刷方式具有成本低、堵孔漿料開發(fā)難度低等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛采用。
但對(duì)于采用制絨后激光打孔的金屬穿孔卷繞硅太陽能電池技術(shù)路線，如在制絨后、擴(kuò)散后或鍍膜后進(jìn)行激光打孔，激光孔洞周邊的毛刺未能通過制絨去除。采用目前的分次印刷制備金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極時(shí)，容易在制備正極時(shí)，因毛刺磨損網(wǎng)版引起激光孔洞區(qū)漏漿，從而影響網(wǎng)版壽命、uptime和產(chǎn)品品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極制備方法，能夠避免毛刺磨損所引起激光孔洞區(qū)漏漿問題。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
一種金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極制備方法，包括：
S1、采用太陽能級(jí)P型單晶或多晶硅片作為襯底，使用常學(xué)清洗和織構(gòu)化方法對(duì)硅片進(jìn)行制絨，形成絨面，絨面為光陷阱表面；
S2、在硅片上激光開孔，孔洞為N×N的陣列，N為正整數(shù)；
S3、在絨面上使用POCl3擴(kuò)散源進(jìn)行高溫單面擴(kuò)散，形成PN結(jié)；
S4、在硅片的絨面背表面，以孔洞為圓心，采用絲網(wǎng)印刷或噴墨打印法制備直徑1-10mm、厚度1-50μm的圓形有機(jī)掩膜；
S5、對(duì)硅片進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊及背面多余的PN結(jié)，清洗有機(jī)掩膜，去除擴(kuò)散后襯底表面的磷硅玻璃；
S6、對(duì)硅片使用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法）設(shè)備制備氮化硅減反膜，減反膜覆蓋正電極及擴(kuò)散面；
S7、采用背銀漿料，采用280目，線徑32μm，紗厚64μm，正極區(qū)膜厚10μm，負(fù)極區(qū)膜厚20μm的分區(qū)不同膜厚設(shè)計(jì)的網(wǎng)版，絲網(wǎng)印刷金屬穿孔卷繞硅太陽能電池背面正極；
S8、采用金屬穿孔卷繞硅太陽能電池填孔銀漿，絲網(wǎng)印刷金屬穿孔卷繞硅太陽能電池背面負(fù)極和堵孔；
S9、在金屬穿孔卷繞硅太陽能電池背面制備鋁背場；
S10、采用正面銀漿，通過絲網(wǎng)印刷方式在硅片擴(kuò)散面，即硅片正表面制備正電極；
S11、在鏈?zhǔn)綘t中進(jìn)行烘干和燒結(jié)，形成正面電極歐姆接觸及形成背電場。
進(jìn)一步的，在S2中，所述孔洞形狀為圓形、方形或錐形。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
