[發(fā)明專利]金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811633016.0
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109980025A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃智;徐建華;李質(zhì)磊;路忠林;吳仕梁;盛雯婷;張鳳鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇日托光伏科技股份有限公司;無錫日托光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237
• 代理人: 賀翔

1.一種金屬穿孔卷繞硅太陽能電池電極制備方法，其特征在于，包括：

S1、采用太陽能級P型單晶或多晶硅片作為襯底，使用常學(xué)清洗和織構(gòu)化方法對硅片進(jìn)行制絨，形成絨面，絨面為光陷阱表面；

S2、在硅片上激光開孔，孔洞為N×N的陣列，N為正整數(shù)；

S3、在絨面上使用POCl₃擴(kuò)散源進(jìn)行高溫單面擴(kuò)散，形成PN結(jié)；

S4、在硅片的絨面背表面，以孔洞為圓心，采用絲網(wǎng)印刷或噴墨打印法制備直徑1-10mm、厚度1-50μm的圓形有機(jī)掩膜；

S5、對硅片進(jìn)行刻蝕，去除硅片周邊及背面多余的PN結(jié)，清洗有機(jī)掩膜，去除擴(kuò)散后襯底表面的磷硅玻璃；

S6、對硅片使用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法）設(shè)備制備氮化硅減反膜，減反膜覆蓋正電極及擴(kuò)散面；

S7、采用背銀漿料，采用280目，線徑32μm，紗厚64μm，正極區(qū)膜厚10μm，負(fù)極區(qū)膜厚20μm的分區(qū)不同膜厚設(shè)計的網(wǎng)版，絲網(wǎng)印刷金屬穿孔卷繞硅太陽能電池背面正極；

S8、采用金屬穿孔卷繞硅太陽能電池填孔銀漿，絲網(wǎng)印刷金屬穿孔卷繞硅太陽能電池背面負(fù)極和堵孔；

S9、在金屬穿孔卷繞硅太陽能電池背面制備鋁背場；

S10、采用正面銀漿，通過絲網(wǎng)印刷方式在硅片擴(kuò)散面，即硅片正表面制備正電極；

S11、在鏈?zhǔn)綘t中進(jìn)行烘干和燒結(jié)，形成正面電極歐姆接觸及形成背電場。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在S2中，所述孔洞形狀為圓形、方形或錐形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在S2中，所述孔洞的孔徑范圍是100-400μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在S4中，所述圓形有機(jī)掩膜為石臘膜，直徑為1、2、4、8、10mm，厚度為25μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在S10中，所述正面銀漿采用賀利氏9641，杜邦PV20、帝科92A。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在S11中，燒結(jié)溫度為750℃-820℃。