[發明專利]一種自適應的充放電電路、方法以及設備

有效

• 申請號: 201811631792.7
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109785889B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 王禮維;苗林;譚經綸
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李梅香;張穎玲

本發明實施例公開了一種自適應的充放電電路，所述電路包括：檢測單元和充放電控制單元，其中：所述檢測單元的輸入端與存儲陣列的每一閃存單元對應的電容的輸出端連接，所述檢測單元的輸出端與所述充放電控制單元的輸入端連接；所述充放電控制單元的輸出端與每一所述閃存單元對應的電容的輸入端連接；所述檢測單元，用于對每一所述閃存單元對應的電容進行充放電時，對每一所述閃存單元對應的電容的電壓進行監測，并將監測結果發送至所述充放電控制單元；所述充放電控制單元，用于接收所述檢測單元發送的監測結果，并基于所述監測結果控制每一所述閃存單元對應的電容的充放電操作。本發明的實施例同時還公開了一種自適應的充放電方法和設備。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種自適應的充放電電路、方法以及設備。

背景技術

在NAND閃存中，一般會對NAND閃存單元對應的位線的電容需要進行充放電的控制；相對技術中，對NAND閃存單元對應的位線的電容的充電操作通常是采用固定預充電時間進行控制的，對NAND閃存單元對應的位線的電容的放電操作通常是采用固定放電開始時間進行控制的。

但是，NAND閃存單元對應的位線的工藝、電源和溫度等會存在偏差；因此，受工藝、提供的電源和溫度等的影響，相對技術中位線的電容的充放電方法會存在充電不足或者放電過量，導致輸出錯誤數據的缺陷。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例期望提供一種自適應的充放電電路、方法以及設備，解決了相對技術中位線的電容的充放電方法會存在充電不足或者放電過量的問題，避免出現輸出錯誤的數據，提高了輸出的數據的準確性和工作效率。

為達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

一種自適應的充放電電路，所述電路包括：檢測單元和充放電控制單元；其中：

所述檢測單元的輸入端與存儲陣列的每一閃存單元對應的電容的輸出端連接，所述檢測單元的輸出端與所述充放電控制單元的輸入端連接；

所述充放電控制單元的輸出端與每一所述閃存單元對應的電容的輸入端連接；

所述檢測單元，用于對每一所述閃存單元對應的電容進行充放電時，對每一所述閃存單元對應的電容的電壓進行監測，并將監測結果發送至所述充放電控制單元；

所述充放電控制單元，用于接收所述檢測單元發送的監測結果，并基于所述監測結果控制每一所述閃存單元對應的電容的充放電操作。

上述方案中，所述電路還包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：

所述第一MOS管的第一極與電源連接，所述第一MOS管的第二極與所述每一閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第一MOS管的第三極與所述充放電控制單元的輸出端連接；

所述第二MOS管的第一極接地，所述第二MOS管的第二極與每一閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第二MOS管的第三極與所述充放電控制單元的輸出端連接。

上述方案中，所述檢測單元包括：第一檢測器，其中：

所述第一檢測器的輸入端與每一所述閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第一檢測器的輸出端與所述充放電控制單元的輸入端連接。

上述方案中，所述充放電控制單元包括：第一控制器和第二控制器，其中：

所述第一控制器的輸入端與所述第一檢測器的輸出端連接，所述第一控制器的輸出端與所述第一MOS管的第三極連接；

所述第二控制器的輸入端與所述第一檢測器的輸出端連接，所述第二控制器的輸出端與所述第二MOS管的第三極連接。

上述方案中，所述檢測單元包括：第二檢測器和第三檢測器，其中：