[發明專利]一種自適應的充放電電路、方法以及設備有效
| 申請號： | 201811631792.7 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109785889B | 公開（公告）日： | 2021-08-17 |
| 發明（設計）人： | 王禮維;苗林;譚經綸 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | G11C16/30 | 分類號： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;張穎玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 自適應 放電 電路 方法 以及 設備 | ||
1.一種自適應的充放電電路，其特征在于，所述電路包括：檢測單元，充放電控制單元和第二MOS管，其中：
所述檢測單元的輸入端與存儲陣列的每一閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述檢測單元的輸出端與所述充放電控制單元的輸入端連接；
所述充放電控制單元的輸出端與每一所述閃存單元對應的電容的輸入端連接；
所述檢測單元，用于對每一所述閃存單元對應的電容進行充放電時，對每一所述閃存單元對應的電容的電壓進行監測，并將監測結果發送至所述充放電控制單元；
所述充放電控制單元，用于接收所述檢測單元發送的監測結果，并基于所述監測結果控制每一所述閃存單元對應的電容的充放電操作；
所述第二MOS管的第一極用于接地，所述第二MOS管的第二極與每一閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第二MOS管的第三極與所述充放電控制單元的輸出端連接；
其中，所述充放電控制單元控制所述第二MOS管處于開啟狀態時，所述閃存單元對應的電容放電；所述充放電控制單元控制所述第二MOS管處于關斷狀態時，停止所述閃存單元對應的電容的放電。
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：第一MOS管，其中：
所述第一MOS管的第一極與電源連接，所述第一MOS管的第二極與所述每一閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第一MOS管的第三極與所述充放電控制單元的輸出端連接。
3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述檢測單元包括：第一檢測器，其中：
所述第一檢測器的輸入端與每一所述閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第一檢測器的輸出端與所述充放電控制單元的輸入端連接。
4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述充放電控制單元包括：第一控制器和第二控制器，其中：
所述第一控制器的輸入端與所述第一檢測器的輸出端連接，所述第一控制器的輸出端與所述第一MOS管的第三極連接；
所述第二控制器的輸入端與所述第一檢測器的輸出端連接，所述第二控制器的輸出端與所述第二MOS管的第三極連接。
5.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述檢測單元包括：第二檢測器和第三檢測器，其中：
所述第二檢測器的輸入端與每一所述閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第二檢測器的輸出端與所述充放電控制單元的輸入端連接；
所述第三檢測器的輸入端與每一所述閃存單元對應的電容的輸入端連接，所述第三檢測器的輸出端與所述充放電控制單元的輸入端連接。
6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述第三檢測器的使能端與所述充放電控制單元的輸出端連接；
所述第二檢測器的使能端連接有外接使能信號。
7.根據權利要求6所述的電路，其特征在于，所述充放電控制單元包括：第一控制器和第二控制器，其中：
所述第一控制器的輸入端與所述第二檢測器的輸出端連接，所述第一控制器的輸出端與所述第一MOS管的第三極連接；
所述第二控制器的輸入端與所述第三檢測器的輸出端連接，所述第二控制器的輸出端與所述第二MOS管的第三極連接。
8.根據權利要求7所述的電路，其特征在于，所述第一控制器的輸出端與所述第三檢測器的使能端連接。
9.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述第一MOS管的類型與所述第二MOS管的類型不同。
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