[發(fā)明專利]一種色轉(zhuǎn)換層及其制作方法、顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811630819.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109755268A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張桂洋;查國偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子點(diǎn) 薄膜 色轉(zhuǎn)換層 功能膜 顯示面板 直下式面光源 光波 面光源 吸收損耗 反射層 光效 基底 反射 制作 發(fā)射 激發(fā) 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種色轉(zhuǎn)換層及其制作方法、顯示面板,所述色轉(zhuǎn)換層應(yīng)用于具有直下式面光源的顯示面板中,所述色轉(zhuǎn)換層包括量子點(diǎn)薄膜和功能膜;所述功能膜設(shè)于所述量子點(diǎn)薄膜朝向所述面光源的一側(cè),使所述面光源發(fā)射的光波透過所述功能膜進(jìn)入所述量子點(diǎn)薄膜,并使所述量子點(diǎn)薄膜激發(fā)的光波經(jīng)所述功能膜反射回所述量子點(diǎn)薄膜,從而降低基底反射層的吸收損耗,提高直下式面光源的光效。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種色轉(zhuǎn)換層及其制作方法、顯示面板。
背景技術(shù)
隨著科技的發(fā)展,人民的生活水平顯著提高,新科技產(chǎn)品更新?lián)Q代越來越快,僅從顯示產(chǎn)品上分析,從最早的CRT(Cathode Ray Tube)到LCD(Liquid Crystal Display),目前發(fā)展到OLED(Organic Light Emitting Display)、QLED(Quantum Dot Light EmittingDiodes)、mini-LED。未來的Micro-LED顯示技術(shù)也已經(jīng)被提出來,且一些國內(nèi)外大廠正在進(jìn)行了這方面的布局。各種適應(yīng)于AR/VR的頭戴顯示器也如雨后春筍般般不斷出現(xiàn)。
目前的主流顯示技術(shù)為L(zhǎng)CD和OLED顯示,但二者各有優(yōu)缺點(diǎn)。LCD顯示是被動(dòng)顯示,雖然其價(jià)格便宜、可靠性高,但是光能利用率太低、對(duì)比度較低、邊框較大,已經(jīng)漸漸不能滿足一些用戶的體驗(yàn)需求。OLED是主動(dòng)發(fā)光顯示,其光能利用率較高、體型輕薄、邊框窄、屏占比高,對(duì)比度理論上可以達(dá)到無窮大,但其缺點(diǎn)也十分明顯,如壽命短,易受水氧、溫度的影響,且其亮度較低,在陽光下的可視性效果較差等。比較而言,LED具有體積小、響應(yīng)快、視角廣、光效高、發(fā)光波段易調(diào)節(jié)及可靠性高等優(yōu)點(diǎn),在超輕薄、全面屏、異型屏顯示中有重要的應(yīng)用。
為了達(dá)到窄邊框、高亮度和可靠性的三重要求,基于直下式的LED顯示被提出來,當(dāng)然,基于QLED的直下式顯示方案同樣可行。以LED為例,LED包括基板14,以及依次設(shè)置在基板14上的反射層15、LED 16、平坦層17、色轉(zhuǎn)換層12、擴(kuò)散膜18和增亮膜19,而各膜層間的折射率存在差異,從而導(dǎo)致部分出射光會(huì)在器件內(nèi)部來回反射。由于基底反射層的反射率小于90%,光在基底反射層發(fā)生的多次反射會(huì)極大降低了背光的光效,從而導(dǎo)致顯示器件亮度不夠或者續(xù)航能力不足等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種色轉(zhuǎn)換層及其制作方法、顯示面板,以解決現(xiàn)有直下式面光源面板中,因底層基板反射率不足造成的光效損失的問題。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種色轉(zhuǎn)換層,應(yīng)用于具有直下式面光源的顯示面板中,所述色轉(zhuǎn)換層包括量子點(diǎn)薄膜和功能膜;
所述功能膜設(shè)于所述量子點(diǎn)薄膜朝向所述面光源的一側(cè),使所述面光源發(fā)射的光波透過所述功能膜進(jìn)入所述量子點(diǎn)薄膜,并使所述量子點(diǎn)薄膜激發(fā)的光波經(jīng)所述功能膜反射回所述量子點(diǎn)薄膜。
進(jìn)一步地,所述色轉(zhuǎn)換層還包括微結(jié)構(gòu)層;
所述微結(jié)構(gòu)層設(shè)于所述量子點(diǎn)薄膜背離所述面光源的一側(cè)。
進(jìn)一步地,所述色轉(zhuǎn)換層還包括基板;
所述基板設(shè)于所述功能膜背離所述量子點(diǎn)薄膜的一側(cè)。
進(jìn)一步地,所述色轉(zhuǎn)換層還包括第一阻隔層和基板;
所述第一阻隔層設(shè)于所述量子點(diǎn)薄膜與所述功能膜之間,所述基板設(shè)于所述第一阻隔層與所述功能膜之間。
進(jìn)一步地,所述色轉(zhuǎn)換層還包括第二阻隔層和保護(hù)層;
所述第二阻隔層設(shè)于所述量子點(diǎn)薄膜背離所述面光源的一側(cè),所述保護(hù)層設(shè)于所述第二阻隔層背離所述量子點(diǎn)薄膜的一側(cè)。
進(jìn)一步地,所述功能膜包括層疊設(shè)置的多個(gè)膜層;
相鄰兩膜層的折射率不同。
進(jìn)一步地,所述功能膜的材料為無機(jī)材料或有機(jī)材料;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





