[發明專利]一種色轉換層及其制作方法、顯示面板在審
| 申請號: | 201811630819.0 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109755268A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 張桂洋;查國偉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子點 薄膜 色轉換層 功能膜 顯示面板 直下式面光源 光波 面光源 吸收損耗 反射層 光效 基底 反射 制作 發射 激發 應用 | ||
1.一種色轉換層,應用于具有直下式面光源的顯示面板中,其特征在于,所述色轉換層包括量子點薄膜和功能膜;
所述功能膜設于所述量子點薄膜朝向所述面光源的一側,使所述面光源發射的光波透過所述功能膜進入所述量子點薄膜,并使所述量子點薄膜激發的光波經所述功能膜反射回所述量子點薄膜。
2.根據權利要求1所述的色轉換層,其特征在于,所述色轉換層還包括微結構層;
所述微結構層設于所述量子點薄膜背離所述面光源的一側。
3.根據權利要求1所述的色轉換層,其特征在于,所述色轉換層還包括基板;
所述基板設于所述功能膜背離所述量子點薄膜的一側。
4.根據權利要求1所述的色轉換層,其特征在于,所述色轉換層還包括第一阻隔層和基板;
所述第一阻隔層設于所述量子點薄膜與所述功能膜之間,所述基板設于所述第一阻隔層與所述功能膜之間。
5.根據權利要求1所述的色轉換層,其特征在于,所述色轉換層還包括第二阻隔層和保護層;
所述第二阻隔層設于所述量子點薄膜背離所述面光源的一側,所述保護層設于所述第二阻隔層背離所述量子點薄膜的一側。
6.根據權利要求1至5任一項所述的色轉換層,其特征在于,所述功能膜包括層疊設置的多個膜層;
相鄰兩膜層的折射率不同。
7.根據權利要求6所述的色轉換層,其特征在于,所述功能膜的材料為無機材料或有機材料;
所述功能膜的材料為無機材料時,每一膜層的材料包括TiO2、Al2O3、SiO2、ZnS、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、ITO中的任意一種;
所述功能膜的材料為有機材料時,每一膜層的材料包括PC、PET、PMMA、Resin中的任意一種。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括直下式面光源以及設于所述面光源上的色轉換層;
所述色轉換層為如權利要求1至7任一項所述的色轉換層。
9.一種色轉換層的制作方法,所述色轉換層應用于具有直下式面光源的顯示面板中,其特征在于,所述方法包括:
提供量子點薄膜;
在所述量子點薄膜朝向所述面光源的一側形成功能膜,使所述面光源發射的光波透過所述功能膜進入所述量子點薄膜,并使所述量子點薄膜激發的光波經所述功能膜反射回所述量子點薄膜。
10.根據權利要求9所述的色轉換層的制作方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述量子點薄膜背離所述面光源的一側形成微結構層。
11.根據權利要求9所述的色轉換層的制作方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述功能膜背離所述量子點薄膜的一側形成基板。
12.根據權利要求9所述的色轉換層的制作方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述量子點薄膜與所述功能膜之間形成第一阻隔層;
在所述第一阻隔層與所述功能膜之間形成基板。
13.根據權利要求9所述的色轉換層的制作方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述量子點薄膜背離所述面光源的一側形成第二阻隔層;
在所述第二阻隔層背離所述量子點薄膜的一側形成保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





